VTB5051UVJH – Photodiode au silicium à sensibilité améliorée à la lumière bleue, TO-5, 14,8 mm2, boîtier isolé, fenêtre UV
La VTB5051UVJH est une photodiode au silicium dans un boîtier hermétique TO-5 à fenêtre plane à sensibilité aux UV améliorée dont la puce de la photodiode est isolée du boîtier. Cette photodiode offre une réponse améliorée dans le domaine spectral des UV, en plus de présenter une haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité.
Cette photodiode au silicium à sensibilité aux UV améliorée présente une surface active de 14,8 mm2 et est conçue pour offrir une réponse spectrale optimale entre 200 et 1100 nm.
Cette série de photodiodes planar au silicium P-sur-N a été conçue pour offrir une réponse optimale dans la partie visible et UV du spectre. Ces photodiodes sont principalement destinées à une utilisation en mode photovoltaïque mais peuvent également fonctionner avec une faible tension de polarisation inverse. Elles ont également été conçues pour présenter une résistance de dérivation très élevée, ce qui se traduit par de faibles déviations lorsqu'elles sont utilisées dans des circuits amplificateurs opérationnels à changement d'impédance et à gain élevé.
Caractéristiques et avantages :
- Domaine spectral allant de l'UV au proche infrarouge
- Linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies
- Très faible courant d'obscurité
- Très haute résistance de dérivation
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- Détection des UV et de la lumière bleue
- Photomètres
- Détection des flammes
- La photométrie
Active area = 14.8 mm2
Short Circuit Current = Minimum 85 µA at 100 fc, 2850 K
Dark Current = Maximum 250 pA at 2 V Reverse Bias
Junction Capacitance = Typical 3 nF at 0 V Bias
Spectral Range = 200 nm to 1100 nm
Peak Spectral Response = 920 nm
Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.5 A/W
Sensitivity at 365 nm = Typical 0.1 A/W
Sensitivity at 220 nm = Minimum 0.038 A/W
Angular Response = ±50 Degrees at 50% Response
Active area = 14.8 mm2
Short Circuit Current = Minimum 85 µA at 100 fc, 2850 K
Dark Current = Maximum 250 pA at 2 V Reverse Bias
Junction Capacitance = Typical 3 nF at 0 V Bias
Spectral Range = 200 nm to 1100 nm
Peak Spectral Response = 920 nm
Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.5 A/W
Sensitivity at 365 nm = Typical 0.1 A/W
Sensitivity at 220 nm = Minimum 0.038 A/W
Angular Response = ±50 Degrees at 50% Response