VTB6061UVJH – Photodiode au silicium, TO-8, 37,7 mm2, boîtier isolé, fenêtre UV
La VTB6061UVJH est une photodiode au silicium dans un boîtier hermétique TO-8 à fenêtre plane à sensibilité aux UV améliorée dont la puce de la photodiode est isolée du boîtier. Cette photodiode offre une réponse améliorée dans le domaine spectral des UV, en plus de présenter une haute résistance de dérivation et un faible courant d'obscurité.
Cette photodiode au silicium à sensibilité aux UV améliorée présente une surface active de 37,7 mm2 et une réponse spectrale optimale entre 200 et 1100 nm.
Cette série de photodiodes planar au silicium P-sur-N a été conçue pour offrir une réponse optimale dans la partie visible et UV du spectre. Ces photodiodes sont principalement destinées à une utilisation en mode photovoltaïque mais peuvent également fonctionner avec une faible tension de polarisation inverse. Elles ont également été conçues pour présenter une résistance de dérivation très élevée, ce qui se traduit par de faibles déviations lorsqu'elles sont utilisées dans des circuits amplificateurs opérationnels à changement d'impédance et à gain élevé.
Caractéristiques et avantages :
- Domaine spectral allant de l'UV au proche infrarouge
- Linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies
- Très faible courant d'obscurité, très haute résistance de dérivation
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- Détection des UV et de la lumière bleue
- Photomètres
- Détection des flammes
- La photométrie
- Surface active : 37,7 mm2
- Courant de court-circuit = Minimum 260 µA à 100 fc, 2850 K
- Courant d'obscurité = Maximum 2 nA à 2 V de tension de polarisation inverse
- Capacité de jonction = 8 nF à 0 V de tension de polarisation (type)
- Domaine spectral = 200 à 1100 nm
- Réponse spectrale maximale = 920 nm
- Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,5 A/W type
- Sensibilité à 365 nm = 0,1 A/W type
- Sensibilité à 220 nm = 0,04 A/W minimum
- Réponse angulaire = ±55 degrés à 50 % de réponse
- Surface active : 37,7 mm2
- Courant de court-circuit = Minimum 260 µA à 100 fc, 2850 K
- Courant d'obscurité = Maximum 2 nA à 2 V de tension de polarisation inverse
- Capacité de jonction = 8 nF à 0 V de tension de polarisation (type)
- Domaine spectral = 200 à 1100 nm
- Réponse spectrale maximale = 920 nm
- Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,5 A/W type
- Sensibilité à 365 nm = 0,1 A/W type
- Sensibilité à 220 nm = 0,04 A/W minimum
- Réponse angulaire = ±55 degrés à 50 % de réponse