PIÈCE/ VTH3020
Photodiode au silicium VTH3020 de grande surface, détecteur de Chip-on-Board (montage direct des puces)
La VTH3020 d’Excelitas est une photodiode au silicium Chip-on-Board (montage direct des puces) avancée de grande surface 100 mm2 qui offre des performances exceptionnelles. Cette photodiode de pointe est optimisée pour la détection détection des particules alpha, ce qui fait un choix idéal pour les utilisations telles que la surveillance du gaz radon. Sa conception chip-on-board simplifie le processus d’assemblage par refusion. De plus, sa conception innovante améliore de manière significative la responsivité aux particules alpha, éliminant efficacement les problèmes d’absorption généralement associés avec les assemblages à fenêtre. En outre, sa large surface maximise l’efficacité de la collecte pour les rayonnements de faible intensité, assurant une détection précise et sûre.
Les photodiodes VTH3020 d’Excelitas sont conçues sous forme de puce pour une détection optimale des particules alpha, en particulier dans les applications de détection du gaz radon. La conception en puce robuste de ces photodiodes au silicium de faible capacitance assure une grande responsivité aux rayonnements d’intérêt. Elles sont offertes dans deux tailles avec des régions actives de 5 x 5 mm et de 10 x 10 mm afin de maximiser la détection de rayonnement de faible intensité. De plus, ces photodiodes disposent d’une plage de longueurs d’onde de 400 nm à 1100 nm.
| Région active | 100 mm² |
| Courant d’obscurité | Maximum 10 nA à 20 V de tension de polarisation inverse |
| Capacité de jonction | Maximum 120 pF à 20 V de tension de polarisation inverse |
| Domaine spectral | 400 nm à 1100 nm |
| Réponse spectrale maximale | 925 nm |
| Sensibilité à la longueur d’onde maximale | 0,70 A/W type |
| Tension de claquage | > 100 V |
- Conception avancée de la photodiode CoB au silicium pour une intégration et une performance améliorées
- Région active de 10 mm x 10 mm pour une collection de rayonnement maximale
- Soudable par refusion pour des processus d’assemblage simplifiés
- Faible courant d’obscurité et faible bruit assurant une intégrité de signal élevée
- Tension de claquage élevé pour des utilisations robustes
- Capacitance faible optimisant la performance pour les détections sensibles
- Conforme à la directive RoHS
- Détection du radon
- Détection de particules alpha
| Région active | 100 mm² |
| Courant d’obscurité | Maximum 10 nA à 20 V de tension de polarisation inverse |
| Capacité de jonction | Maximum 120 pF à 20 V de tension de polarisation inverse |
| Domaine spectral | 400 nm à 1100 nm |
| Réponse spectrale maximale | 925 nm |
| Sensibilité à la longueur d’onde maximale | 0,70 A/W type |
| Tension de claquage | > 100 V |
- Conception avancée de la photodiode CoB au silicium pour une intégration et une performance améliorées
- Région active de 10 mm x 10 mm pour une collection de rayonnement maximale
- Soudable par refusion pour des processus d’assemblage simplifiés
- Faible courant d’obscurité et faible bruit assurant une intégrité de signal élevée
- Tension de claquage élevé pour des utilisations robustes
- Capacitance faible optimisant la performance pour les détections sensibles
- Conforme à la directive RoHS
- Détection du radon
- Détection de particules alpha