PIÈCE/ VTP1232H
VTP1232H – Photodiode au silicium, T1 3/4 avec lentille, 2,326 mm2
La VTP1232H est une photodiode au silicium dans un boîtier transparent T1 ¾ avec lentille à détection verticale qui présente une réponse accrue dans le domaine spectral du visible et du proche infrarouge. Cette photodiode présente une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité et une faible capacitance.
Cette photodiode au silicium à réponse rapide offre une surface active de 2,326 mm2 et est conçue pour fournir une réponse spectrale allant de 400 à 1100 nm.
Cette série de photodiodes est conçue pour présenter une faible capacité de jonction afin d'obtenir des temps de réponse rapides et pour fonctionner sous polarisation inverse afin de diminuer la capacitance et d'augmenter encore plus la vitesse de réponse. Ces photodiodes peuvent également fonctionner en mode photovoltaïque dans des utilisations où la vitesse de réponse n'est pas critique.
Ces photodiodes offrent une excellente réponse dans le domaine spectral de l'infrarouge et conviennent parfaitement à la série VTE à LED infrarouge d'Excelitas.
Caractéristiques et avantages :
- Domaine spectral allant du visible au proche infrarouge
- Linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies
- Faible courant d'obscurité
- Haute résistance de dérivation
- Faible capacitance
- Réponse rapide
- Haute tolérance à la tension inverse
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- la détection de la fumée
- Lecture de codes à barres
- Photomètres
- Oxymètres de pouls
Surface active : 2,326 mm2
Courant de court-circuit = Minimum 100 µA à 100 fc, 2850 K
Sensibilité de photodétection = Minimum 0,06 A/(W/cm2), 880 nm
Courant d'obscurité = Maximum 25 nA à 10 V de tension de polarisation inverse
Capacité de jonction = Maximum 0,3 nF à 0 V de tension de polarisation
Domaine spectral = 400 à 1100 nm
Réponse spectrale maximale = 920 nm
Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,60 A/W type
Réponse angulaire = ±20 degrés à 50 % de réponse
Surface active : 2,326 mm2
Courant de court-circuit = Minimum 100 µA à 100 fc, 2850 K
Sensibilité de photodétection = Minimum 0,06 A/(W/cm2), 880 nm
Courant d'obscurité = Maximum 25 nA à 10 V de tension de polarisation inverse
Capacité de jonction = Maximum 0,3 nF à 0 V de tension de polarisation
Domaine spectral = 400 à 1100 nm
Réponse spectrale maximale = 920 nm
Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,60 A/W type
Réponse angulaire = ±20 degrés à 50 % de réponse