PIÈCE/ VTP3310LAH
VTP3310LAH – Photodiode au silicium, T1 avec lentille, 0,684 mm2
La VTP3310LAH est une photodiode au silicium dans un boîtier long T1 transparent avec lentille à détection verticale. Cette photodiode offre une réponse améliorée dans le domaine spectral du visible et de l'infrarouge proche, en plus de présenter une très haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité et une faible capacitance.
Cette photodiode au silicium à réponse rapide offre une surface active de 0,684 mm2 et une réponse spectrale allant de 400 à 1150 nm.
Nos photodiodes à réponse rapide sont conçues pour présenter une faible capacité de jonction afin d'obtenir des temps de réponse rapides. Elles peuvent également fonctionner sous polarisation inverse afin de diminuer la capacitance et d'augmenter encore plus la vitesse de réponse. Ces photodiodes peuvent également fonctionner en mode photovoltaïque dans des utilisations où la vitesse de réponse n'est pas critique.
Les photodiodes au silicium à réponse rapide offrent une excellente réponse dans le domaine spectral de l'infrarouge proche et conviennent parfaitement à la série VTE à LED infrarouge d'Excelitas.
Caractéristiques et avantages :
- Domaine spectral allant du visible au proche infrarouge
- Linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies
- Faible courant d'obscurité
- Haute résistance de dérivation
- Faible capacitance
- Réponse rapide
- Haute tolérance à la tension inverse
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- la détection de la fumée
- Lecture de codes à barres
- Photomètres
- Oxymètres de pouls
Surface active : 0,684 mm2
Courant de court-circuit = Minimum 24 µA à 100 fc, 2850 K
Sensibilité de photodétection = Type 0,015 A/(W/cm2), 940 nm
Courant d'obscurité = Maximum 35 nA à 50 V de tension de polarisation inverse
Capacité de jonction = Maximum 25 pF à 3 V de tension de polarisation inverse
Domaine spectral = 400 à 1150 nm
Réponse spectrale maximale = 925 nm
Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,55 A/W type
Réponse angulaire = ±20 degrés à 50 % de réponse
Surface active : 0,684 mm2
Courant de court-circuit = Minimum 24 µA à 100 fc, 2850 K
Sensibilité de photodétection = Type 0,015 A/(W/cm2), 940 nm
Courant d'obscurité = Maximum 35 nA à 50 V de tension de polarisation inverse
Capacité de jonction = Maximum 25 pF à 3 V de tension de polarisation inverse
Domaine spectral = 400 à 1150 nm
Réponse spectrale maximale = 925 nm
Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,55 A/W type
Réponse angulaire = ±20 degrés à 50 % de réponse