PIÈCE/ VTP3410LAH
VTP3410LAH – Photodiode au silicium, IRT T1 avec lentille, 0,684 mm2
La VTP3410LAH est une photodiode au silicium dans un boîtier long T1 avec lentille à détection verticale qui bloque les rayons visibles et présente une réponse accrue dans le domaine spectral du proche infrarouge. Cette photodiode présente une haute résistance de dérivation, un faible courant d'obscurité et une faible capacitance.
Cette photodiode au silicium à réponse rapide offre une surface active de 0,684 mm2 et est conçue pour fournir une réponse spectrale allant de 700 à 1150 nm.
Cette série de photodiodes est conçue pour présenter une faible capacité de jonction afin d'obtenir des temps de réponse rapides et pour fonctionner sous polarisation inverse afin de diminuer la capacitance et d'augmenter encore plus la vitesse de réponse. Elles peuvent également fonctionner en mode photovoltaïque dans des utilisations où la vitesse de réponse n'est pas critique.
Ces photodiodes offrent une excellente réponse dans le domaine spectral du proche infrarouge et conviennent parfaitement à la série VTE à LED infrarouge d'Excelitas.
Caractéristiques et avantages :
- Domaine spectral du proche infrarouge
- Linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies
- Faible courant d'obscurité
- Haute résistance de dérivation
- Faible capacitance
- Réponse rapide
- Haute tolérance à la tension inverse
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- la détection de la fumée
- Lecture de codes à barres
- Photomètres
- Oxymètres de pouls
- Surface active : 0,684 mm2
- Courant de court-circuit = Minimum 15 µA à 100 fc, 2850 K
- Sensibilité de photodétection = Type 0,013 A/(W/cm2), 940 nm
- Courant d'obscurité = Maximum 35 nA à 50 V de tension de polarisation inverse
- Capacité de jonction = Maximum 25 pF à 3 V de tension de polarisation inverse
- Domaine spectral = 700 à 1150 nm
- Réponse spectrale maximale = 925 nm
- Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,55 A/W type
- Réponse angulaire = ±20 degrés à 50 % de réponse
- Surface active : 0,684 mm2
- Courant de court-circuit = Minimum 15 µA à 100 fc, 2850 K
- Sensibilité de photodétection = Type 0,013 A/(W/cm2), 940 nm
- Courant d'obscurité = Maximum 35 nA à 50 V de tension de polarisation inverse
- Capacité de jonction = Maximum 25 pF à 3 V de tension de polarisation inverse
- Domaine spectral = 700 à 1150 nm
- Réponse spectrale maximale = 925 nm
- Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,55 A/W type
- Réponse angulaire = ±20 degrés à 50 % de réponse