VTP4085H – Photodiode au silicium, céramique, 21 mm2
La VTP4085H est une photodiode au silicium sur un substrat en céramique revêtu d'époxy qui fournit une réponse rapide et un faible courant d'obscurité.
Cette photodiode au silicium à réponse rapide fournit une surface active de 21 mm2 et une réponse spectrale allant de 400 à 1100 nm. Notre série de photodiodes est conçue pour présenter une faible capacité de jonction afin d'obtenir des temps de réponse plus rapides. Elles conviennent au fonctionnement sous polarisation inverse, ce qui augmente la vitesse de réponse, mais peuvent également être utilisées en mode photovoltaïque. Ces dispositifs offrent une excellente réponse dans le spectre IR et conviennent parfaitement aux LED infrarouges.
Caractéristiques et avantages :
- Domaine spectral allant du visible à l'infrarouge
- Longueur d'onde maximale : 925 nm
- Grande surface active avec linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies
- Faible courant d'obscurité
- Haute résistance de dérivation
- Faible capacitance
- Réponse rapide
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- Détection de la fumée
- Lecture de codes à barres
- Photomètres
- Oxymètres de pouls
Surface active : 21 mm2
Courant de court-circuit = Minimum 200 µA à 100 fc, 2850 K
Courant de court-circuit = Minimum 11,4 µA à 100 µW/cm2, 940 nm
Courant d'obscurité = Maximum 100 nA à 100 mV de tension de polarisation inverse
Capacité de jonction = Type 0,35 nF à 0 V de tension de polarisation
Domaine spectral = 400 à 1100 nm
Réponse spectrale maximale = 925 nm
Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,55 A/W type
Surface active : 21 mm2
Courant de court-circuit = Minimum 200 µA à 100 fc, 2850 K
Courant de court-circuit = Minimum 11,4 µA à 100 µW/cm2, 940 nm
Courant d'obscurité = Maximum 100 nA à 100 mV de tension de polarisation inverse
Capacité de jonction = Type 0,35 nF à 0 V de tension de polarisation
Domaine spectral = 400 à 1100 nm
Réponse spectrale maximale = 925 nm
Sensibilité à la longueur d'onde maximale = 0,55 A/W type