VTP4085SH – Photodiode au silicium, céramique, 21 mm2, faible courant d'obscurité
La VTP4085SH est une photodiode au silicium sur un substrat en céramique revêtu d'époxy qui fournit une réponse rapide et un faible courant d'obscurité.
Cette photodiode au silicium à réponse rapide offre une surface active de 21 mm2 et une réponse spectrale allant de 400 à 1100 nm. Notre série de photodiodes est conçue pour présenter une faible capacité de jonction afin d'obtenir des temps de réponse plus rapides. Elles conviennent au fonctionnement sous polarisation inverse, ce qui augmente la vitesse de réponse, mais peuvent également être utilisées en mode photovoltaïque. Ces dispositifs offrent une excellente réponse dans le spectre IR et conviennent parfaitement aux DEL infrarouges.
Caractéristiques et avantages :
- Domaine spectral allant du visible à l'infrarouge
- Longueur d'onde maximale : 925 nm
- Grande surface active avec linéarité de 1 à 2 % sur une période de 7 à 9 décennies
- Faible courant d'obscurité
- Haute résistance de dérivation
- Faible capacitance
- Réponse rapide
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- la détection de la fumée
- Lecture de codes à barres
- Photomètres
- Oxymètres de pouls
Active area = 21 mm2
Short Circuit Current = Minimum 200 µA at 100 fc, 2850 K
Short Circuit Current = Minimum 11.4 µA at 100 µW/cm2, 940 nm
Dark Current = Maximum 50 nA at 100 mV Reverse Bias
Junction Capacitance = Typical 0.35 nF at 0 V Bias
Spectral Range = 400 nm to 1100 nm
Peak Spectral Response = 925 nm
Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.55 A/W
Active area = 21 mm2
Short Circuit Current = Minimum 200 µA at 100 fc, 2850 K
Short Circuit Current = Minimum 11.4 µA at 100 µW/cm2, 940 nm
Dark Current = Maximum 50 nA at 100 mV Reverse Bias
Junction Capacitance = Typical 0.35 nF at 0 V Bias
Spectral Range = 400 nm to 1100 nm
Peak Spectral Response = 925 nm
Sensitivity at peak Wavelength = Typical 0.55 A/W