PIÈCE/Photodiodes à quadrants de série YAG-200-4
YAG-200-4 – Série de Si PIN – 5,1 mm
Les détecteurs à quadrants PIN au silicium de la série YAG d'Excelitas Technologies sont des photodiodes Si PIN de type N ou P à haute performance dans des boîtiers TO hermétiquement scellés.
Ces photodiodes offrent une bonne performance sur la gamme de longueurs d'onde de 400 à 1100 nm, ainsi qu'une meilleure responsivité aux IR, ce qui les rend idéales pour les applications de détection à 1064 nm.
Un anneau de garde recueille le courant généré en dehors de la zone active, ce qui garantit que le courant ne produira pas de bruit.
En raison de sa grande surface active, le dispositif est utile pour obtenir des informations positionnelles à partir de points focalisés et défocalisés en mode pulsé ou continu.
Caractéristiques principales :
- Efficacité quantique élevée à 1064 nm
- Diaphonie de <1 % entre les éléments
- Pas de « zones mortes » entre les quadrants (type P)
- Style de boîtier : boîtier TO hermétique
- Offert en configuration de type N ou P avec élément chauffant et revêtement antireflet en option
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| Nombre d’éléments | 4 |
| Diamètre de la surface active (mm) | 5,1 |
| Région active par élément (mm²) | 5,1 |
| Capacité type par quadrant (pF) | 12 |
| Responsivité type à 900 nm (A/W) | 0,60 |
| Responsivité type à 1064 nm (A/W) | 0,44 |
| Réactivité typique à 1064 nm pour les suffixes -AR et -ARH (A/W) | 0,47 |
| Temps de montée type, charge de 50 Ω (ns) | 12 |
| Tension de fonctionnement maximale (V) | 180 |
| Tension de claquage minimale (V) | 200 |
| Capacité typique par élément (pF) | 2 |
| Capacitance maximale par élément (pF) | 10 |
| Courant d’obscurité typique par élément (nA) | 10 |
| Courant d’obscurité maximal par élément (nA) | 50 |
| Courant de bruit typique par élément (pA/ |
0,10 |
| Puissance équivalente au bruit (NEP) à 900 nm par élément (pW/ |
0,10 |
| Puissance équivalente au bruit (NEP) à 1064 nm par élément (pW/ |
0,15 |
| Résistance de chauffage à 25 ℃ (suffixe -H) (kΩ) | 0,10±0,2 |
| Puissance de crête du chauffage (suffixe -H) (W) | 4 |
| Tension continue maximale du chauffage (suffixe -H) (V) | 12 |
| Boîtier | TO-8 personnalisé |
| Gamme de températures de stockage (℃) | -De 55 à 125 |
| Gamme de températures de fonctionnement (℃) | -De 55 à 125 |
| Plage de température de fonctionnement pour le suffixe -H (℃) | -De 40 à 85 |
| Tension maximale du chauffage (V) | 12 |
| Nombre d’éléments | 4 |
| Diamètre de la surface active (mm) | 5,1 |
| Région active par élément (mm²) | 5,1 |
| Capacité type par quadrant (pF) | 12 |
| Responsivité type à 900 nm (A/W) | 0,60 |
| Responsivité type à 1064 nm (A/W) | 0,44 |
| Réactivité typique à 1064 nm pour les suffixes -AR et -ARH (A/W) | 0,47 |
| Temps de montée type, charge de 50 Ω (ns) | 12 |
| Tension de fonctionnement maximale (V) | 180 |
| Tension de claquage minimale (V) | 200 |
| Capacité typique par élément (pF) | 2 |
| Capacitance maximale par élément (pF) | 10 |
| Courant d’obscurité typique par élément (nA) | 10 |
| Courant d’obscurité maximal par élément (nA) | 50 |
| Courant de bruit typique par élément (pA/ |
0,10 |
| Puissance équivalente au bruit (NEP) à 900 nm par élément (pW/ |
0,10 |
| Puissance équivalente au bruit (NEP) à 1064 nm par élément (pW/ |
0,15 |
| Résistance de chauffage à 25 ℃ (suffixe -H) (kΩ) | 0,10±0,2 |
| Puissance de crête du chauffage (suffixe -H) (W) | 4 |
| Tension continue maximale du chauffage (suffixe -H) (V) | 12 |
| Boîtier | TO-8 personnalisé |
| Gamme de températures de stockage (℃) | -De 55 à 125 |
| Gamme de températures de fonctionnement (℃) | -De 55 à 125 |
| Plage de température de fonctionnement pour le suffixe -H (℃) | -De 40 à 85 |
| Tension maximale du chauffage (V) | 12 |