零件号
C30950EH
C30950EH - 硅APD接收器, 0.8mm, 50MHz, TO-8
C30950EH是一种50 MHz带宽的硅雪崩光电二极管(Si APD)放大器模块，并包括我们的C30817硅雪崩光电二极管(APD)。C30950EH的有效直径为0.8 mm，可在400至1100 nm之间提供良好的响应，并采用经过修改的12引脚TO-8封装。
激光测距探测器
埃赛力达致力于确保我们部队的安全。我们提供的探测器和发射器产品组合可以满足从可携式和火控系统到无人飞行器的各种激光测距应用。我们种类繁多的发射器和探测器可以满足您对普通和军用设备的激光测距要求。我们提供标配即用型产品和定制设计，以满足您的确切规格要求。
我们还为商业测距设备提供全系列的APD，并为商业测距设备提供全系列的大功率激光二极管。我们的产品包括：Si和InGaAs APD 1060nm NIR增强Si APD、Si PIN和APD模块 - InGaAs APD模块和脉冲激光二极管。
产品清单
零件号
C30659-UV-1
C30659-UV-1 - 硅APD接收器, 1x1mm, 50MHz, TO-8, UV增强型
C30659-UV-1包含一个带混合前置放大器的UV增强型硅雪崩光电二极管（Si APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪声操作。
零件号
C30659-900-R5BH
C30659-900-R5BH - 硅APD接收器, 0.5mm, TO-8, 200MHz
C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-900-R5BH装置采用C30902EH Si APD，后者在900nm具有峰值响应，感光直径为0.5nm。
零件号
C30659-900-R8AH
C30659-900-R8AH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-8, 50MHz
C30659系列混合光学APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的TO-8封装以实现超低噪音工作。我们的C30659-900-R8AH装置采用C30817EH Si APD，后者在900nm具有峰值响应，感光直径为0.8nm。
零件号
C30659-1060-3AH
C30659-1060-3AH - 硅APD接收器，3mm, TO-8, 50MHz
C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1060-R3AH装置采用C30956EH Si APD，后者经过1060 nm优化，感光直径为3 mm。
零件号
C30659-1060-R8BH
C30659-1060-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-8, 200MHz
C30659系列混合光学APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装以实现超低噪音工作。我们的C30659-1060-R8BH装置采用C30954EH Si APD，后者在1060nm经过优化，感光直径为0.8nm。
零件号
C30659-1060E-R8BH
C30659-1060E-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-8, 200MHz, 高损伤阈值
C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1060E-R8BH装置采用C30954EH Si APD，后者经过1060nm优化，感光直径为0.8 mm。
零件号
C30659-1550-R08BH
C30659-1550-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-8, 200MHz
C30659系列InGaAs APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的TO-8封装，以实现超低噪音工作。
零件号
C30659-1550E-R08BH
C30659-1550E-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-8, 200MHz, 高损伤阈值
C30659系列InGaAs APD接收器包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1550E-R08BH装置包含一个经过1550 nm波长优化的C30645EH InGaAs APD。
零件号
C30659-1550-R2AH
C30659-1550-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-8, 50MHz
C30659系列包括带有混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装以实现超低噪声操作。我们的C30659-1550-R2AH装置包含一个经过1550 nm波长优化的C30662EH InGaAs APD。
零件号
C30659-1550E-R2AH
C30659-1550E-R2AH - InGaAs APD接收器, 200um, TO-8, 50MHz, 高损伤阈值
C30659系列包含一个带混合前置放大器的硅（Si）或InGaAs雪崩光电二极管（APD），采用相同的气密TO-8封装，以实现超低噪音工作。我们的C30659-1550-R2AH装置包含一个经过1550 nm波长优化的埃赛力达C30662EH InGaAs APD。
零件号
LLAM-900-R5BH
LLAM-900-R5BH - 硅APD接收器, 0.5mm, TO-66, 200MHz, 致冷器
LLAM-900-R5BH是具有0.5mm感光直径，采用气密封装的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器。该Si APD接收器具有一个热电致冷器，并提供200 MHz的带宽。
零件号
LLAM-1060-R8BH
LLAM-1060-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-66, 200MHz, 致冷器
LLAM-1060-R8BH包含1060 nm Si APD的高速，低光探测模拟硅雪崩光电二极管（Si APD）接收器模块。该 (Si APD) 具有热电致冷器，可提供0.8感光直径和200 MHz带宽。
零件号
LLAM-1060E-R8BH
LLAM-1060E-R8BH - 硅APD接收器, 0.8mm, TO-66, 200MHz, 致冷器, 高损伤阈值
包含1060 nm硅（Si）APD的LLAM-1060E-R8BH高速，低光模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。这款Si APD具有热电致冷器，可提供0.8 mm的感光直径和200 MHz的带宽。
零件号
LLAM-1550-R08BH
LLAM-1550-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-66, 200MHz, 致冷器
LLAM-1550-R08BH包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块，具有热电致冷器。
零件号
LLAM-1550E-R08BH
LLAM-1550E-R08BH - 铟镓砷APD接收器, 80um, TO-66, 200MHz, 致冷器, 高损伤阈值
LLAM-1550E-R08BH是一种高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器，其感光直径为 0.08mm，并配有热电致冷器。
零件号
LLAM-1550-R2AH
LLAM-1550-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-66, 50MHz, 致冷器
LLAM-1550-R2AH 包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。该InGaAs APD接收器包含一个热电致冷器，并提供 50 MHz的带宽。
零件号
LLAM-1550E-R2AH
LLAM-1550E-R2AH - 铟镓砷APD接收器, 200um, TO-66, 50MHz, 致冷器, 高损伤阈值
LLAM-1550E-R2AH 包含1550 nm InGaAs APD的高速，低光探测模拟雪崩光电二极管（APD）接收器模块。该APD接收器模块包含热电致冷器，可提供50 MHz的带宽和高损伤阈值。