C30954EH - Si APD, 0.8mm, TO-5封装
零件/ C30954EH

C30954EH - Si APD, 0.8mm, TO-5封装

C30954EH长波长增强型硅雪崩光电二极管(Si APD)提供0.8 mm的感光面直径和在1060 nm处的高量子效率。采用TO-5封装设计,这种Si APD使用双扩散“穿透式”结构制成。其>900 nm的长波响应经过了增强,不会产生任何不良影响。

功能与优点:

  • 0.8mm感光直径
  • 1060 nm波长处具有高量子效率
  • 快速响应时间
  • 较宽的工作温度范围
  • 低结电容
  • 气密封装
  • 符合RoHS标准
  • 提供TEC选项

应用领域:

  • 测距
  • LiDAR
  • YAG激光探测

感光面积:0.5 mm²
感光直径:0.8 mm
击穿电压:>300, 375, <475 V
电容:2pF
暗电流:50nA
增益:120
噪声电流:1 pA/√Hz
封装:TO-5
峰值灵敏度波长:900 nm
响应度:

  • 在900 nm处为75 A/W
  • 在1050 nm处为36 A/W
  • 在1150 nm为5 A/W

上升/下降时间:2ns
温度系数:2.4V/°C
工作电压范围:275-450 V
波长:400-1100nm

感光面积:0.5 mm²
感光直径:0.8 mm
击穿电压:>300, 375, <475 V
电容:2pF
暗电流:50nA
增益:120
噪声电流:1 pA/√Hz
封装:TO-5
峰值灵敏度波长:900 nm
响应度:

  • 在900 nm处为75 A/W
  • 在1050 nm处为36 A/W
  • 在1150 nm为5 A/W

上升/下降时间:2ns
温度系数:2.4V/°C
工作电压范围:275-450 V
波长:400-1100nm

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