Die C30927 Serie sind Quadranten-Silizium-Avalanche-Photodioden, die in einer Vielzahl von Nachführungs- und Ausrichtungsanwendungen nützlich sind.
TEIL/ C30927EH-02

C30927EH-02 – Si APD Quadranten-Detektor, 1,5 mm, 900 nm

Die Quadranten Silizium Avalanche-Photodiode C30927EH-02, mit einem aktiven Durchmesser von 1,55 mm, ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“-Struktur ausgelegt. Die Quadranten, deren Trennung durch die Segmentierung der Lichteintrittsfläche erreicht wird, besitzen einen gemeinsamen Verstärkungsbereich. Somit gibt es keine Empfindlichkeitsverluste durch insensitive Bereiche zwischen den einzelnen Elementen. Die C30927EH-02 ist für eine Wellenlänge von 900 nm optimiert und bietet eine hohe Empfindlichkeit, innerhalb eines Bereiches von 50 nm um die spezifizierte Wellenlänge.

Hauptmerkmale:

  • Blickwinkel größer als 90º
  • Hohe Quantenausbeute, optimiert bei 900 nm
  • Schnelle Ansprechzeit
  • Große aktive Fläche: 1,77 mm²
  • Flaches, hermetisches TO-8 Gehäuse

Anwendungen:

  • Tracking
  • Justage
  • „Freund oder Feind“ Identifikation

Durchbruchsspannungsbereich (V): 350 bis 485

Typische Durchbruchspannung (V): 425

Typische Verstärkung (M): 100

Typischer Temperaturkoeffizient für konstante Verstärkung (V/℃): 2,4

Minimale Empfindlichkeit bei 900 nm (A/W): 50

Typische Empfindlichkeit bei 900 nm (A/W): 62

Typischer Gesamt-Dunkelstrom (nA): 100

Maximaler Gesamt-Dunkelstrom (nA): 200

Typischer Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1,0

Maximaler Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1,5

Typische Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 3

Maximale Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 5

Maximaler Reihenwiderstand (Ω): 15

Typische Anstiegs- und Abfallzeit (ns): 3

Lagertemperatur (℃): -60 bis 120

Betriebstemperatur (℃): -40 bis 60

Durchbruchsspannungsbereich (V): 350 bis 485

Typische Durchbruchspannung (V): 425

Typische Verstärkung (M): 100

Typischer Temperaturkoeffizient für konstante Verstärkung (V/℃): 2,4

Minimale Empfindlichkeit bei 900 nm (A/W): 50

Typische Empfindlichkeit bei 900 nm (A/W): 62

Typischer Gesamt-Dunkelstrom (nA): 100

Maximaler Gesamt-Dunkelstrom (nA): 200

Typischer Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1,0

Maximaler Rauschstrom pro Element (pA/√Hz): 1,5

Typische Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 3

Maximale Gesamtkapazität aller Quadranten (pF): 5

Maximaler Reihenwiderstand (Ω): 15

Typische Anstiegs- und Abfallzeit (ns): 3

Lagertemperatur (℃): -60 bis 120

Betriebstemperatur (℃): -40 bis 60

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