Quadranten-Detektoren
Eine präzise Strahlpositionierung kann durch die Verwendung unserer Quadranten-PIN- und Avalanche-Photodetektoren erreicht werden. Sie sind mit 4 präzise dotierten Quadrantenabschnitten konstruiert, wodurch der unempfindliche Bereich zwischen den einzelnen Quadranten auf nahezu Null reduziert wird. Ihre Struktur ermöglicht eine hohe Quantenausbeute und eine schnelle Reaktion für die Detektion von Photonen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm.
C30845EH – Si PIN, 8 mm, TO-8 Gehäuse, Quadranten-Detektor
Die C30845EH ist eine hochwertige N-Typ Silizium PIN Quadranten-Photodiode in einem hermetischen TO-8 Gehäuse, die für einen Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Mit ihrer großen aktiven Fläche (50 mm²) ist die Diode dazu geeignet, Positionsinformationen sowohl von fokussierten als auch von nicht-fokussierten Punkten im …
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C30927EH-02 – Si APD Quadranten-Detektor, 1,5 mm, 900 nm
Die Quadranten Silizium Avalanche-Photodiode C30927EH-02, mit einem aktiven Durchmesser von 1,55 mm, ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“-Struktur ausgelegt. Die Quadranten, deren Trennung durch die Segmentierung der Lichteintrittsfläche erreicht wird, besitzen einen gemeinsamen Verstärkungsbereich.
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C30927EH-03 – Si APD Quadranten-Detektor, 1,5 mm, 800 nm
Die Quadranten Silizium Avalanche-Photodiode C30927EH-03, mit einem aktiven Durchmesser von 1,55 mm, ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“-Struktur ausgelegt. Die Quadranten, deren Trennung durch die Segmentierung der Lichteintrittsfläche erreicht wird, besitzen einen gemeinsamen Verstärkungsbereich.
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