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Quadranten-Detektoren

Eine präzise Strahlpositionierung kann durch die Verwendung unserer Quadranten-PIN- und Avalanche-Photodetektoren erreicht werden. Sie sind mit 4 präzise dotierten Quadrantenabschnitten konstruiert, wodurch der unempfindliche Bereich zwischen den einzelnen Quadranten auf nahezu Null reduziert wird. Ihre Struktur ermöglicht eine hohe Quantenausbeute und eine schnelle Reaktion für die Detektion von Photonen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm.

Sensorlösungen für Militär-, Raumfahrt- und Sicherheitsanwendungen – Katalog
Die C30927 Serie sind Quadranten-Silizium-Avalanche-Photodioden, die in einer Vielzahl von Nachführungs- und Ausrichtungsanwendungen nützlich sind.

Produktliste

Teilenummer
C30845EH

C30845EH – Si PIN, 8 mm, TO-8 Gehäuse, Quadranten-Detektor

Die C30845EH ist eine hochwertige N-Typ Silizium PIN Quadranten-Photodiode in einem hermetischen TO-8 Gehäuse, die für einen Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Mit ihrer großen aktiven Fläche (50 mm²) ist die Diode dazu geeignet, Positionsinformationen sowohl von fokussierten als auch von nicht-fokussierten Punkten im gepulsten oder CW-Modus aufzunehmen.
Teilenummer
C30927EH-02

C30927EH-02 – Si APD Quadranten-Detektor, 1,5 mm, 900 nm

Die Quadranten Silizium Avalanche-Photodiode C30927EH-02, mit einem aktiven Durchmesser von 1,55 mm, ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“-Struktur ausgelegt. Die Quadranten, deren Trennung durch die Segmentierung der Lichteintrittsfläche erreicht wird, besitzen einen gemeinsamen Verstärkungsbereich. Somit gibt es keine Empfindlichkeitsverluste durch insensitive Bereiche zwischen den einzelnen Elementen. Die C30927EH-02 ist für eine Wellenlänge von 900 nm optimiert und bietet eine hohe Empfindlichkeit, innerhalb eines Bereiches von 50 nm um die spezifizierte Wellenlänge.
Teilenummer
C30927EH-03

C30927EH-03 – Si APD Quadranten-Detektor, 1,5 mm, 800 nm

Die Quadranten Silizium Avalanche-Photodiode C30927EH-03, mit einem aktiven Durchmesser von 1,55 mm, ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“-Struktur ausgelegt. Die Quadranten, deren Trennung durch die Segmentierung der Lichteintrittsfläche erreicht wird, besitzen einen gemeinsamen Verstärkungsbereich. Somit gibt es keine Empfindlichkeitsverluste durch insensitive Bereiche zwischen den einzelnen Elementen. Die C30927EH-03 ist für eine Wellenlänge von 800 nm optimiert und bietet eine hohe Empfindlichkeit, innerhalb eines Bereiches von 50 nm um die spezifizierte Wellenlänge.