TEIL/ C30845EH
C30845EH – Si PIN, 8 mm, TO-8 Gehäuse, Quadranten-Detektor
Die C30845EH ist eine hochwertige N-Typ Silizium PIN Quadranten-Photodiode in einem hermetischen TO-8 Gehäuse, die für einen Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Mit ihrer großen aktiven Fläche (50 mm²) ist die Diode dazu geeignet, Positionsinformationen sowohl von fokussierten als auch von nicht-fokussierten Punkten im gepulsten oder CW-Modus aufzunehmen.
Eigenschaften:
- Große aktive Fläche von 50 mm²
- Niedrige Betriebsspannung (Vop) von 45 V
- Hermetisches Gehäuse
- Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
- Sehr geringer Quadrant zu Quadrant Abstand: 0,25 mm
| Aktiver Durchmesser (mm) | 8 |
| Aktive Fläche (mm²) | 50 |
| Minimale Durchbruchspannung (V) | 100 |
| Typische Kapazität pro Element (pF) | 8 |
| Maximale Kapazität pro Element (pF) | 10 |
| Typischer Dunkelstrom pro Element bei 10 V pro Element (nA) | 70 |
| Maximaler Dunkelstrom pro Element bei 10 V pro Element (nA) | 200 |
| Typischer Dunkelstrom pro Element bei 45 V pro Element (nA) | 200 |
| Maximaler Dunkelstrom pro Element bei 45 V pro Element (nA) | 700 |
| Typischer Rauschstrom pro Element bei 900 nm (pA/√Hz) | 0,43 |
| Maximaler Rauschstrom pro Element bei 900 nm (pA/√Hz) | 1,80 |
| Typischer Rauschstrom pro Element bei 1060 nm (pA/√Hz) | 1,5 |
| Maximaler Rauschstrom pro Element bei 1060 nm (pA/√Hz) | 6,5 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 6 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 10 |
| Lagertemperatur (℃) | -60 bis +100 |
| Betriebstemperatur (℃) | -40 bis +80 |
| Aktiver Durchmesser (mm) | 8 |
| Aktive Fläche (mm²) | 50 |
| Minimale Durchbruchspannung (V) | 100 |
| Typische Kapazität pro Element (pF) | 8 |
| Maximale Kapazität pro Element (pF) | 10 |
| Typischer Dunkelstrom pro Element bei 10 V pro Element (nA) | 70 |
| Maximaler Dunkelstrom pro Element bei 10 V pro Element (nA) | 200 |
| Typischer Dunkelstrom pro Element bei 45 V pro Element (nA) | 200 |
| Maximaler Dunkelstrom pro Element bei 45 V pro Element (nA) | 700 |
| Typischer Rauschstrom pro Element bei 900 nm (pA/√Hz) | 0,43 |
| Maximaler Rauschstrom pro Element bei 900 nm (pA/√Hz) | 1,80 |
| Typischer Rauschstrom pro Element bei 1060 nm (pA/√Hz) | 1,5 |
| Maximaler Rauschstrom pro Element bei 1060 nm (pA/√Hz) | 6,5 |
| Typische Anstiegszeit (ns) | 6 |
| Typische Abfallzeit (ns) | 10 |
| Lagertemperatur (℃) | -60 bis +100 |
| Betriebstemperatur (℃) | -40 bis +80 |