Die C30845EH-Quadranten-N-Typ-PIN-Photodiode ist für den Einsatz in einer Vielzahl von breitbandigen Anwendungen mit geringem Lichtpegel ausgelegt.
TEIL/ C30845EH

C30845EH – Si PIN, 8 mm, TO-8 Gehäuse, Quadranten-Detektor

Die C30845EH ist eine hochwertige N-Typ Silizium PIN Quadranten-Photodiode in einem hermetischen TO-8 Gehäuse, die für einen Wellenlängenbereich von 300 nm bis 1100 nm ausgelegt ist. Mit ihrer großen aktiven Fläche (50 mm²) ist die Diode dazu geeignet, Positionsinformationen sowohl von fokussierten als auch von nicht-fokussierten Punkten im gepulsten oder CW-Modus aufzunehmen.

Eigenschaften:

  • Große aktive Fläche von 50 mm²
  • Niedrige Betriebsspannung (Vop) von 45 V
  • Hermetisches Gehäuse
  • Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm
  • Sehr geringer Quadrant zu Quadrant Abstand: 0,25 mm
Typische spektrale Empfindlichkeit bei Raumtemperatur des C30845EH.

Aktiver Durchmesser (mm): 8
Aktive Fläche (mm²): 50
Minimale Durchbruchspannung (V): 100
Typische Kapazität pro Element (pF): 8
Maximale Kapazität pro Element (pF): 10
Typischer Dunkelstrom pro Element bei 10 V pro Element (nA): 70
Maximaler Dunkelstrom pro Element bei 10 V pro Element (nA): 200
Typischer Dunkelstrom pro Element bei 45 V pro Element (nA): 200
Maximaler Dunkelstrom pro Element bei 45 V pro Element (nA): 700
Typischer Rauschstrom pro Element bei 900 nm (pA/√Hz): 0,43
Maximaler Rauschstrom pro Element bei 900 nm (pA/√Hz): 1,80
Typischer Rauschstrom pro Element bei 1060 nm (pA/√Hz): 1,5
Maximaler Rauschstrom pro Element bei 1060 nm (pA/√Hz): 6,5
Typische Anstiegszeit (ns): 6
Typische Abfallzeit (ns): 10
Lagertemperatur (℃): -60 bis 100
Betriebstemperatur (℃): -40 bis 80

Aktiver Durchmesser (mm): 8
Aktive Fläche (mm²): 50
Minimale Durchbruchspannung (V): 100
Typische Kapazität pro Element (pF): 8
Maximale Kapazität pro Element (pF): 10
Typischer Dunkelstrom pro Element bei 10 V pro Element (nA): 70
Maximaler Dunkelstrom pro Element bei 10 V pro Element (nA): 200
Typischer Dunkelstrom pro Element bei 45 V pro Element (nA): 200
Maximaler Dunkelstrom pro Element bei 45 V pro Element (nA): 700
Typischer Rauschstrom pro Element bei 900 nm (pA/√Hz): 0,43
Maximaler Rauschstrom pro Element bei 900 nm (pA/√Hz): 1,80
Typischer Rauschstrom pro Element bei 1060 nm (pA/√Hz): 1,5
Maximaler Rauschstrom pro Element bei 1060 nm (pA/√Hz): 6,5
Typische Anstiegszeit (ns): 6
Typische Abfallzeit (ns): 10
Lagertemperatur (℃): -60 bis 100
Betriebstemperatur (℃): -40 bis 80

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