TEIL/ C30927EH-03
C30927EH-03 – Si APD Quadranten-Detektor, 1,5 mm, 800 nm
Die Quadranten Silizium Avalanche-Photodiode C30927EH-03, mit einem aktiven Durchmesser von 1,55 mm, ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“-Struktur ausgelegt. Die Quadranten, deren Trennung durch die Segmentierung der Lichteintrittsfläche erreicht wird, besitzen einen gemeinsamen Verstärkungsbereich. Somit gibt es keine Empfindlichkeitsverluste durch insensitive Bereiche zwischen den einzelnen Elementen. Die C30927EH-03 ist für eine Wellenlänge von 800 nm optimiert und bietet eine hohe Empfindlichkeit, innerhalb eines Bereiches von 50 nm um die spezifizierte Wellenlänge.
Die Quadranten-Avalanche-Potodioden sind bei einer Vielzahl von Tracking- und Justageanwendungen nützlich.
Hauptmerkmale:
- Blickwinkel größer als 90º
- Hohe Quantenausbeute, optimiert bei 800 nm
- Schnelle Ansprechzeit
- Große aktive Fläche: 1,77 mm²
- Flaches, hermetisches TO-8 Gehäuse
Anwendungen:
- Tracking
- Justage
- „Freund oder Feind“ Identifikation
| Durchbruchsspannungsbereich (V) | 350 bis +485 |
| Typische Durchbruchspannung (V) | 425 |
| Typische Verstärkung (M) | 100 |
| Typischer Temperaturkoeffizient für konstante Verstärkung (V/℃) | 2,4 |
| Minimale Empfindlichkeit bei 800 nm (A/W) | 45 |
| Typische Empfindlichkeit bei 800 nm (A/W) | 55 |
| Typischer Gesamt-Dunkelstrom (nA) | 100 |
| Maximaler Gesamt-Dunkelstrom (nA) | 200 |
| Typischer Rauschstrom pro Element (pA/√Hz) | 1,0 |
| Maximaler Rauschstrom pro Element (pA/√Hz) | 1,5 |
| Typische Gesamtkapazität aller Quadranten (pF) | 3 |
| Maximale Gesamtkapazität aller Quadranten (pF) | 5 |
| Maximaler Reihenwiderstand (Ω) | 15 |
| Typische Anstiegs- und Abfallzeit (ns) | 3 |
| Lagertemperatur (℃) | -60 bis +120 |
| Betriebstemperatur (℃) | -40 bis +60 |
| Durchbruchsspannungsbereich (V) | 350 bis +485 |
| Typische Durchbruchspannung (V) | 425 |
| Typische Verstärkung (M) | 100 |
| Typischer Temperaturkoeffizient für konstante Verstärkung (V/℃) | 2,4 |
| Minimale Empfindlichkeit bei 800 nm (A/W) | 45 |
| Typische Empfindlichkeit bei 800 nm (A/W) | 55 |
| Typischer Gesamt-Dunkelstrom (nA) | 100 |
| Maximaler Gesamt-Dunkelstrom (nA) | 200 |
| Typischer Rauschstrom pro Element (pA/√Hz) | 1,0 |
| Maximaler Rauschstrom pro Element (pA/√Hz) | 1,5 |
| Typische Gesamtkapazität aller Quadranten (pF) | 3 |
| Maximale Gesamtkapazität aller Quadranten (pF) | 5 |
| Maximaler Reihenwiderstand (Ω) | 15 |
| Typische Anstiegs- und Abfallzeit (ns) | 3 |
| Lagertemperatur (℃) | -60 bis +120 |
| Betriebstemperatur (℃) | -40 bis +60 |