DPGEW1S09H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität,
9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die DPGEW1S09H ist eine gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 225 µm breiter Zweifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 45 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Diese gepulste 905 nm Laserdiode in TO-ähnlichen Kunststoffgehäusen eignet sich für kommerzielle LiDAR- und Entfernungsmessungsanwendungen in der Großserienfertigung.
Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu vier aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 85 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Die mittlere Emissionswellenlänge ist gut auf die maximale spektrale Empfindlichkeit unserer Avalanche-Photodioden der C30737 Serie abgestimmt.
| Teilenummer | DPGEW1S09H |
| Teilenummer | DPGEW1S09H |