905 nm gepulste Halbleiter Laserdioden für die Großserienfertigung

The Excelitas Generation 3 TPG3AD1S09 Pulsed Laser Diode is a high-efficiency 905 nm edge-emitting laser diode in an SMD package. The TPG3AD1S09 features a power slope of 3 W/A and enhanced output power of 120 W when operated at 40 A, extending the detection range to enable applications of tomorrow. This pulsed laser diode provides high output power ideally suited for long-distance range finder applications and offers a power-efficient solution for short- to mid-range systems.

The Excelitas Generation 2 pulsed semiconductor laser, emitting at 905 nm in the near IR, uses a multi-layer monolithic chip design. Die verbesserte GaAs-Struktur bietet 85 W gepulste Spitzenleistung bei Betrieb mit 30 A. Das mehrschichtige Chipdesign weist eine emittierende Fläche von (225 x 10) μm mit Emission von drei Laserlinien auf und bietet eine hohe Ausgangsleistung auf einer kleinen emittierenden Fläche. Das kunststoffverkapselte T1¾-Gehäuse (TO-ähnlich) ergänzt die Epi-Cavity-Laser der PGA-Serie von Excelitas in hermetischen Metall- oder SMD-Gehäusen und ist ideal für Anwendungen mit hohen Stückzahlen geeignet.

Die TPGAD1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 20 W bei 10 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die TPGAD1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 70 W bei 30 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die PGAD1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 8 W bei 10 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die LTPGAU1S03 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die LQPGAU1S03 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die LTPGAU1S09 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 75 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die PGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 6,5 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die DPGEW1S03H ist eine gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 75 µm breiter Zweifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 13 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die TPGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 20 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die PGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 23 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die DPGEW1S09H ist eine gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 225 µm breiter Zweifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 45 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die TPGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 70 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die QPGEW1S01.5H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 37.5 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 10 W bei 5 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die QPGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 25 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Die QPGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 85 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.