905 nm gepulste Halbleiter Laserdioden für die Großserienfertigung

Die PGA- und PGEW-Serie umfasst eine Vielzahl von Gehäusen, die speziell für hochvolumige Anwendungen für Entfernungsmessung und LiDAR entwickelt wurden. Es stehen kunststoffverkapselte Gehäuse, SMD-Gehäuse und spezielle TO-56-Gehäuse für verschiedene Konfigurationen zur Verfügung.

DPGEW1S03H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die DPGEW1S03H ist eine gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 75 µm breiter Zweifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 13 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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DPGEW1S09H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität,
9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die DPGEW1S09H ist eine gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 225 µm breiter Zweifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 45 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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LQPGAU1S03 – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im Metallgehäuse

Die LQPGAU1S03 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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LTPGAU1S03 – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im Metallgehäuse

Die LTPGAU1S03 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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LTPGAU1S09 – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite im Metallgehäuse

Die LTPGAU1S09 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 75 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGAD1S03H – 905 nm Einzelkavität, 3 mil, SMD PLD

Die PGAD1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 8 W bei 10 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGEW1S03H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die PGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 6,5 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGEW1S09H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität,
9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die PGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 23 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGEW1S03H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die QPGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 25 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGEW1S09H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die QPGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 85 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGEW1S1.5H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 1,5 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die QPGEW1S01.5H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 37.5 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 10 W bei 5 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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TPG2EW1S09 – 905 nm Generation 2 Dreifach-Kavität 225 µm Kunststoff-PLD

Der gepulste „Generation 2“-Halbleiterlaser von Excelitas, der bei 905 nm im nahen IR emittiert, nutzt ein mehrschichtiges monolithisches Chipdesign. Die verbesserte GaAs-Struktur bietet 85 W gepulste Spitzenleistung bei Betrieb mit 30 A. Das mehrschichtige Chipdesign weist eine emittierende Fläche von (225 x 10) μm mit Emission ...
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TPG3AD1S09 – 905 nm Generation 3 Triple-Cavity 225 μm SMD PLD

Die Generation 3 TPG3AD1S09 gepulste Laserdiode von Excelitas ist eine hocheffiziente 905 nm kantenemittierende Laserdiode in einem SMD-Gehäuse. Die TPG3AD1S09 zeichnet sich durch eine Leistungssteigerung von 3 W/A und eine erhöhte Ausgangsleistung von 120 W im Betrieb mit 40 A aus, wodurch sich der Erfassungsbereich auch in Hinblick auf zukünftige ...
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TPG3AU1S03 – 905 nm Kantenemittierender Laser mit Dreifach-Kavität 75 µm in TO-56

Die gepulste Laserdiode TPG3AU1S03 905 nm von Excelitas vereint hohe Leistung mit einer kompakten Bauweise und liefert 38 W bei 13 A. Damit eignet sie sich ideal für ToF- und LiDAR-Anwendungen im mittleren bis langen Bereich. Die große Emissionsfläche von 75×10 µm gewährleistet eine effiziente Wärmeabfuhr und eine stabile Strahlformung bei hohen ...
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TPG3AU1S04 – 905 nm Kantenemittierender Laser mit Dreifach-Kavität 100 µm in TO-56

Die gepulste Laserdiode TPG3AU1S04 905 nm von Excelitas liefert eine optische Ausgangsleistung von 54 W bei einer Stromstärke von 18 A. Sie schließt effektiv die Lücke zwischen Systemen für die Laufzeitmessung (ToF) mit mittlerer Reichweite und hoher Leistung. Sie verfügt über eine Emissionsfläche von 100 × 10 µm, was ein effizientes Wärmemanagement und ...
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TPG3AU1S09 – 905 nm Kantenemittierender Laser mit Dreifach-Kavität 225 µm in TO-56

Die TPG3AU1S09 von Excelitas ist eine 905 nm gepulste Laserdiode, die speziell für maximale Reichweite und hohe Detektionsempfindlichkeit entwickelt wurde. Sie erzeugt eine hervorragende Ausgangsleistung von 120 W bei 40 A. Mit ihrer großen Emissionsfläche von 225 × 10 µm bietet diese Diode eine hohe optische Ausgangsleistung und eignet sich daher besonders für ...
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TPG3AU1S1.5 – 905 nm Kantenemittierender Laser mit Dreifach-Kavität 40 µm in TO-56

Die TPG3AU1S1.5 von Excelitas ist eine kompakte und leistungsstarke gepulste 905-nm-Laserdiode. Sie liefert eine optische Leistung von 16 W bei nur 6 A und eignet sich damit ideal für Anwendungen in den Bereichen Laufzeitmessung, LiDAR und 3D-Sensorik. Mit einer kleinen Emissionsfläche von 40 × 10 µm ermöglicht sie eine enge Strahlkollimation für eine ...
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TPGAD1S03H – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im SMD-Gehäuse

Die TPGAD1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 20 W bei 10 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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TPGAD1S09H – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite im SMD-Gehäuse

Die TPGAD1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 70 W bei 30 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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TPGEW1S03H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die TPGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 20 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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TPGEW1S09H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität,
9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die TPGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 70 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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Zusätzliche Ressourcen
Warum sollten Sie sich für Excelitas als Anbieter von hochvolumigen Laserdioden entscheiden?

Als etablierter Branchenführer im Bereich Optronik und Photonik hat sich Excelitas einen hervorragenden Ruf für die Lieferung fortschrittlicher Photoniklösungen an unsere OEM- und Endkunden weltweit erworben. In unserem umfangreichen Photonik-Katalog finden Sie hochempfindliche, leistungsstarke optische Detektoren und gepulste Laserdioden, die helfen, Technologien voranzutreiben und einen echten Unterschied zu machen. Wir haben unsere Fertigungskapazitäten weiter optimiert, um unsere Kunden mit Lösungen für großvolumige Anwendungen unterstützen zu können. Mithilfe der Produkte von Excelitas können unsere Kunden hochmoderne Geräte auf dem neuesten Stand der Technik entwickeln.

Welche Anwendungsmöglichkeiten gibt es für hochvolumige Laserdioden?

Gepulste 905 nm Halbleiter-Laserdioden sind eine besondere Kategorie von Dioden, die Licht in intermittierenden Pulsen emittieren und präzise bei einer Wellenlänge von 905 nm arbeiten. Diese Bauteile erzeugen hochintensive Lichtblitze mit einer Dauer von Nano- bis Mikrosekunden, je nach Design und Anwendung.

Excelitas stellt die PGA- und PGEW-Serie von 905 nm Laserdioden vor, die speziell für hochvolumige Anwendungen entwickelt wurden. Aufgrund ihrer besonderen Eigenschaften eignen sie sich hervorragend für Szenarien, die konzentrierte Pulse von Laserenergie oder Schaltvorgänge in schneller Folge erfordern, wie zum Beispiel bei Anwendungen wie Lichtdetektion und Ranging (LiDAR), Entfernungsmessung und Feldkartierung.

Welche Arten von 905 nm Laserdioden bieten Sie an?

Excelitas bietet eine breite Palette an hochvolumigen gepulsten 905 nm Halbleiter-Laserdioden an, die für Anwendungen mit hohen Leistungsanforderungen entwickelt wurden.

Erfahren Sie mehr über die PGA- und PGEW-Serien:​​​​​​​

  • TPG2EW1S09 – 905 nm Generation 2 Dreifach-Kavität 225 µm Kunststoff-PLD – die gepulste Halbleiter-Laserdiode der „Generation 2“ verwendet ein mehrschichtiges monolithisches Chipdesign mit einer verbesserten GaAs-Struktur. Sie ist in hermetisch dichten Metall- oder SMD-Gehäusen für robustere Konstruktionen erhältlich.

  • TPG3AD1S09 – 905 nm Dreifach-Kavität 225 μm SMD-PLD – hocheffiziente 905 nm kantenemittierende Laserdiode in einem SMD-Gehäuse. Sie erzeugt eine hohe Ausgangsleistung mit 3 W/A Leistungssteigerung und 120 W erhöhte Ausgangsleistung bei 40 A. Am besten ist sie für Systeme geeignet, die eine Abstandsmessung über große Entfernungen erfordern.

  • TPGAD1S03H – 905 nm Dreifach-Kavität 3 mil SMD-PLD – besteht aus einem Single-Stack-Chip mit Dreifach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm. Sie ist in einem SMD-Gehäuse verfügbar und liefert 20 W bei 10 A, getestet mit einer Pulsbreite von 50 ns.

  • TPGAD1S09H – 905 nm Dreifach-Kavität 9 mil SMD-PLD – hocheffiziente, hochvolumige Laserdioden in einem SMD-Gehäuse, bestehend aus einem Single-Stack-Chip mit drei Kavitäten und einer Streifenbreite von 225 µm.

  • PGAD1S03H – 905 nm Einzel-Kavität 3 mil SMD-PLD – hocheffiziente gepulste 905 nm Laserdiode mit Single-Stack-Chip und Einzel-Kavität mit einer Streifenbreite von 75 µm.

  • LTPGAU1S03 – 905 nm Dreifach-Kavität 3 mil Metallgehäuse – Diode im Metallgehäuse mit einem Single-Stack-Chip mit Dreifach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm.

  • LQPGAU1S03 – 905 nm Dreifach-Kavität 3 mil Metallgehäuse – eine hocheffiziente gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse mit 24 W Leistung bei 10 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • LTPGAU1S09 – 905 nm Dreifach-Kavität 9 mil Metallgehäuse – besteht aus einem Single-Stack-Chip mit Dreifach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm für eine Leistung von 75 W bei 30 A.​​​​​​​

  • PGEW1S03H – 905 nm Einzel-Kavität 3 mil Kunststoff-PLD – eine gepulste Laserdiode im Kunststoffgehäuse mit Single-Stack-Chip und Einzel-Kavität mit einer Streifenbreite von 75 µm.

  • DPGEW1S03H – 905 nm Dual-Kavität 3 mil Kunststoff-PLD – eine gepulste Laserdiode im Kunststoffgehäuse mit Single-Stack-Chip und Dual-Kavität mit einer Streifenbreite von 75 µm für eine Leistung von 13 W bei 10 A.

  • TPGEW1S03H – 905 nm Dreifach-Kavität 3 mil Kunststoff-PLD – eine gepulste Laserdiode im Kunststoffgehäuse für 20 W Leistung bei 10 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • PGEW1S09H – 905 nm Einzel-Kavität 9 mil Kunststoff-PLD – verfügbar in einem Kunststoffgehäuse mit Single-Stack-Chip mit Einzel-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm.​

  • DPGEW1S09H – 905 nm Dual-Kavität 9 mil Kunststoff-PLD – ein Single-Stack-Chip im Kunststoffgehäuse mit Dual-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm für eine Leistung von 45 W bei 30 A.

  • TPGEW1S09H – 905 nm Dreifach-Kavität 9 mil Kunststoff-PLD – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode im Kunststoffgehäuse mit Single-Stack-Chip und Dreifach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm.

  • QPGEW1S1.5H – 905 nm Vierfach-Kavität 1,5 mil Kunststoff-PLD – umfasst einen Single-Stack-Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 37,5 µm. Wird in einem Kunststoffgehäuse geliefert, ist aber auch in verschiedenen anderen Ausführungen erhältlich.

  • QPGEW1S03H – 905 nm Vierfach-Kavität 3 mil Kunststoff-PLD – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode im Kunststoffgehäuse für 25 W Leistung bei 10 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • QPGEW1S09H – 905 nm Vierfach-Kavität 9 mil Kunststoff-PLD – wird in einem Kunststoffgehäuse geliefert mit einem Single-Stack-Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm. Das Modell ist auch mit verschiedenen anderen Gehäusen verfügbar.

Welche Anwendungen gibt es für 905 nm Laserdioden?

Excelitas bietet mit seinen hochvolumigen gepulsten 905 nm Halbleiter-Laserdioden ein umfassendes Portfolio an fortschrittlichen photonischen Lösungen an. Diese Laserdioden bieten eine zuverlässige und konstante Leistung in Bezug auf Ausgangsleistung, Pulsdauer und Wiederholrate – diese Eigenschaften sind unter anderem ideal für die folgenden Anwendungen:

  • Lichtdetektion und Ranging (LIDAR)
  • Robotik
  • Industrielle Automatisierung und Sensorik
  • Vermessung von Baustellen​​​​​​​
  • Landwirtschaftliche Feldkartierung​​​​​​​
  • ​​​​​​​Bergbau und Steinbrüche
  • ​​​​​​​Lagerbestandsverwaltung
  • ​​​​​​​Einzelhandel und E-Commerce
  • ​​​​​​​Sicherheit und Überwachung
  • ​​​​​​​Verteidigung
  • ​​​​​​​Laserschutzvorhänge
  • ​​​​​​​Lasertherapie
  • ​​​​​​​Industrielle Messtechnik
  • ​​​​​​​Umweltüberwachung
  • ​​​​​​​Infrarot-Nachtbeleuchtung
Bieten Sie hochvolumige Laserdioden kundenspezifisch an?

Excelitas ist stolz auf seine Beständigkeit und Zuverlässigkeit bei der Lieferung von OEM Laserdiodenlösungen an Kunden weltweit. Unsere Produkte zeichnen sich seit Jahrzehnten durch eine einheitliche Qualität und Zuverlässigkeit aus. Zugleich entwickeln wir die zugrundeliegenden Technologien ständig weiter. Wenn Sie eine fortschrittliche Lösung für Ihre Anwendung benötigen, suchen Sie in unserem umfassenden Katalog nach Komponenten, die den Spezifikationen Ihres Projekts entsprechen. Sollten Sie keine Produkte finden, die Ihren speziellen Anforderungen entsprechen, entwickeln wir gerne gemeinsam mit Ihnen eine kundenspezifische Lösung, die Ihren Spezifikationen und Leistungsanforderungen entspricht.