905 nm gepulste Halbleiter Laserdioden für die Großserienfertigung

Die PGA- und PGEW-Serie umfasst eine Vielzahl von Gehäusen, die speziell für hochvolumige Anwendungen für Entfernungsmessung und LiDAR entwickelt wurden. Es stehen kunststoffverkapselte Gehäuse, SMD-Gehäuse und spezielle TO-56-Gehäuse für verschiedene Konfigurationen zur Verfügung.

905 nm Pulsed Laser Diode

Produktliste

Excelitas Gen 2 TPG2EW1S09 Gepulste Halbleiter-Laserdiode
Teilenummer
TPG2EW1S09

TPG2EW1S09 – 905 nm Generation 2 Dreifach-Kavität 225 µm Kunststoff-PLD

Der gepulste „Generation 2“-Halbleiterlaser von Excelitas, der bei 905 nm im nahen IR emittiert, nutzt ein mehrschichtiges monolithisches Chipdesign. Die verbesserte GaAs-Struktur bietet 85 W gepulste Spitzenleistung bei Betrieb mit 30 A. Das mehrschichtige Chipdesign weist eine emittierende Fläche von (225 x 10) μm mit Emission von drei Laserlinien auf und bietet eine hohe Ausgangsleistung auf einer kleinen emittierenden Fläche. Das kunststoffverkapselte T1¾-Gehäuse (TO-ähnlich) ergänzt die Epi-Cavity-Laser der PGA-Serie von Excelitas in hermetischen Metall- oder SMD-Gehäusen und ist ideal für Anwendungen mit hohen Stückzahlen geeignet.
905-nm-PLD im SMD-Gehäuse
Teilenummer
TPGAD1S03H

TPGAD1S03H – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im SMD-Gehäuse

Die TPGAD1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 20 W bei 10 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD im SMD-Gehäuse
Teilenummer
TPGAD1S09H

TPGAD1S09H – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite im SMD-Gehäuse

Die TPGAD1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 70 W bei 30 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
PGAD1S03H – 905 nm Single-Cavity 3 mils SMD PLD
Teilenummer
PGAD1S03H

PGAD1S03H – 905 nm Single-Cavity 3 mils SMD PLD

The PGAD1S03H is an SMD packaged, high efficiency 905 nm pulsed laser diode, comprised of a single stack, single cavity chip with a 75 µm stripe width. Die Ausgangsleistung beträgt 8 W bei 10 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD im U-Gehäuse
Teilenummer
LTPGAU1S03

LTPGAU1S03 – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im Metallgehäuse

Die LTPGAU1S03 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
LQPGAU1S03 – gepulste 905-nm-Laserdiode 3 Mil Metallgehäuse und Dreifach-Kavität
Teilenummer
LQPGAU1S03

LQPGAU1S03 – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im Metallgehäuse

Die LQPGAU1S03 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD im U-Gehäuse
Teilenummer
LTPGAU1S09

LTPGAU1S09 – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite im Metallgehäuse

Die LTPGAU1S09 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 75 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD in Kunststoffgehäuse
Teilenummer
PGEW1S03H

PGEW1S03H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die PGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 6,5 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD in Kunststoffgehäuse
Teilenummer
DPGEW1S03H

DPGEW1S03H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die DPGEW1S03H ist eine gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 75 µm breiter Zweifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 13 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD im Kunststoffgehäuse
Teilenummer
TPGEW1S03H

TPGEW1S03H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die TPGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 20 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD im Kunststoffgehäuse
Teilenummer
PGEW1S09H

PGEW1S09H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität,
9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die PGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 23 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD in Kunststoffgehäuse
Teilenummer
DPGEW1S09H

DPGEW1S09H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität,
9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die DPGEW1S09H ist eine gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 225 µm breiter Zweifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 45 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD im Kunststoffgehäuse
Teilenummer
TPGEW1S09H

TPGEW1S09H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität,
9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die TPGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 70 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD im Kunststoffgehäuse
Teilenummer
QPGEW1S1.5H

QPGEW1S1.5H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 1,5 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die QPGEW1S01.5H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 37.5 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 10 W bei 5 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD im Kunststoffgehäuse
Teilenummer
QPGEW1S03H

QPGEW1S03H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die QPGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 25 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
905-nm-PLD im Kunststoffgehäuse
Teilenummer
QPGEW1S09H

QPGEW1S09H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse

Die QPGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Vierfach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 85 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.