TEIL/ PGAD1S03H
PGAD1S03H – 905 nm Einzelkavität, 3 mil, SMD PLD
Die PGAD1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 8 W bei 10 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Diese gepulste 905 nm Laserdiode im SMD-Gehäuse wurde für kommerzielle LiDAR- und Entfernungsmessungsanwendungen in der Großserienfertigung entwickelt.
Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu drei aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 70 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Die mittlere Emissionswellenlänge ist gut auf die maximale spektrale Empfindlichkeit unserer Avalanche-Photodioden der C30737 Serie abgestimmt.
- Geringe Emissionsgröße für einfache optische Kupplung
- Einzelner Streifen mit 75 μm aktiver Laserlänge
- Seitliche und obere Befestigungsmöglichkeiten
- Konzentrierte Emissionsquelle für hohe Leistung in der Blende
- „Quantum Well“-Struktur
- Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
- RoHS-konform
- Geringe Emissionsgröße für einfache optische Kupplung
- Einzelner Streifen mit 75 μm aktiver Laserlänge
- Seitliche und obere Befestigungsmöglichkeiten
- Konzentrierte Emissionsquelle für hohe Leistung in der Blende
- „Quantum Well“-Struktur
- Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
- RoHS-konform