TEIL/ TPGAD1S09H
TPGAD1S09H – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite im SMD-Gehäuse
Die TPGAD1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 70 W bei 30 A und einer Pulslänge von 50 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Die TPGAD1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem SMD-Gehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält.
• 905 nm gepulster Laser
• PGAD-Reihe: SMD-Gehäuse für kommerzielle Anwendungen in der Großserienfertigung
• Streifenbreite von 75 µm und 225 µm
• Kleine Emissionsquelle durch Mehrkavitäten-Laser.
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe optische Pulsleistung
• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
• 905 nm gepulster Laser
• PGAD-Reihe: SMD-Gehäuse für kommerzielle Anwendungen in der Großserienfertigung
• Streifenbreite von 75 µm und 225 µm
• Kleine Emissionsquelle durch Mehrkavitäten-Laser.
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe optische Pulsleistung
• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich