TPG3AD1S09 – 905 nm Generation 3 Triple-Cavity 225 μm SMD PLD
TEIL/ TPG3AD1S09

TPG3AD1S09 – 905 nm Generation 3 Triple-Cavity 225 μm SMD PLD

Die Generation 3 TPG3AD1S09 gepulste Laserdiode von Excelitas ist eine hocheffiziente 905 nm kantenemittierende Laserdiode in einem SMD-Gehäuse. Die TPG3AD1S09 zeichnet sich durch eine Leistungssteigerung von 3 W/A und eine erhöhte Ausgangsleistung von 120 W im Betrieb mit 40 A aus, wodurch sich der Erfassungsbereich auch in Hinblick auf zukünftige Anwendungen erweitern lässt. Diese gepulste Laserdiode bietet eine hohe Ausgangsleistung, die sich ideal für Entfernungsmesseranwendungen und als energieeffiziente Lösung für Systeme mit kurzer bis mittlerer Reichweite eignet.  

Die gepulste Laserdiode TPG3AD1S09 von Excelitas bietet hervorragende Stabilität, Strahlqualität und Zuverlässigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen. Sie verfügt über einen Triple-Cavity-Laserchip, der im Vergleich zu einem Single-Cavity-Laserdesign die dreifache optische Leistung bereitstellt. Die TPG3AD1S09 kommt in einem kleinen, kostengünstigen SMD-Gehäuse mit zwei Montageoptionen auf der Leiterplatte – vertikal und horizontal – für eine einfache Integration in hochvolumige Verbraucher- und Industrieanwendungen. Ein reduzierter Serienwiderstand ermöglicht den Betrieb bei niedrigeren Spannungen für eine geringere Leistungsaufnahme.

  • Gepulste 905-nm-Laserdiode
  • 120 W Ausgangsleistung
  • Hohe Zuverlässigkeit
  • 3 W/A Leistungsanstieg
  • 225 μm Kontaktstreifenbreite
  • Horizontale und vertikale Emissionsmöglichkeit
  • 120 W Ausgangsleistung: Hohe Ausgangsleistung für Langstrecken-Entfernungsmessanwendungen und energieeffizient für Kurz- und Mittelstreckensysteme
  • Neues EPI-Design: Höchste Zuverlässigkeit für anspruchsvollste Anwendungen; Bare Die ist für LiDAR-Anwendungen im Automobilbereich erhältlich
  • Niedrige Betriebsspannung: Geringer Stromverbrauch für hocheffiziente Lichtleistung
  • SMD-Gehäuse: Kostengünstiges Gehäuse für großvolumige Verbraucher- und Industrieanwendungen; kann horizontal oder vertikal auf der Leiterplatte montiert werden
  • Triple-Cavity-Laserchip: Bietet die dreifache optische Leistung im Vergleich zu einem Single-Cavity-Laserdesign
  • LiDAR-/ToF-Messungen
  • Laserbasierte Entfernungsmessung
  • Laserscanning/UGV
  • Infrarot-Nachtbeleuchtung
  • Lasertherapie
  • Materialanregung in medizinischen und anderen analytischen Anwendungen
  • Gepulste 905-nm-Laserdiode
  • 120 W Ausgangsleistung
  • Hohe Zuverlässigkeit
  • 3 W/A Leistungsanstieg
  • 225 μm Kontaktstreifenbreite
  • Horizontale und vertikale Emissionsmöglichkeit
  • 120 W Ausgangsleistung: Hohe Ausgangsleistung für Langstrecken-Entfernungsmessanwendungen und energieeffizient für Kurz- und Mittelstreckensysteme
  • Neues EPI-Design: Höchste Zuverlässigkeit für anspruchsvollste Anwendungen; Bare Die ist für LiDAR-Anwendungen im Automobilbereich erhältlich
  • Niedrige Betriebsspannung: Geringer Stromverbrauch für hocheffiziente Lichtleistung
  • SMD-Gehäuse: Kostengünstiges Gehäuse für großvolumige Verbraucher- und Industrieanwendungen; kann horizontal oder vertikal auf der Leiterplatte montiert werden
  • Triple-Cavity-Laserchip: Bietet die dreifache optische Leistung im Vergleich zu einem Single-Cavity-Laserdesign
  • LiDAR-/ToF-Messungen
  • Laserbasierte Entfernungsmessung
  • Laserscanning/UGV
  • Infrarot-Nachtbeleuchtung
  • Lasertherapie
  • Materialanregung in medizinischen und anderen analytischen Anwendungen
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