TEIL/ PGEW1S09H
PGEW1S09H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität,
9 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die PGEW1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 23 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Diese gepulste 905 nm Laserdiode in TO-ähnlichen Kunststoffgehäusen eignet sich für kommerzielle LiDAR- und Entfernungsmessungsanwendungen in der Großserienfertigung.
Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu vier aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 85 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Die mittlere Emissionswellenlänge ist gut auf die maximale spektrale Empfindlichkeit unserer Avalanche-Photodioden der C30737 Serie abgestimmt.