TEIL/ PGEW1S03H
PGEW1S03H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die PGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 6,5 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Diese gepulste 905 nm Laserdiode in TO-ähnlichen Kunststoffgehäusen eignet sich für kommerzielle LiDAR- und Entfernungsmessungsanwendungen in der Großserienfertigung.
Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu vier aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 85 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Die mittlere Emissionswellenlänge ist gut auf die maximale spektrale Empfindlichkeit unserer Avalanche-Photodioden der C30737 Serie abgestimmt.
• 905 nm gepulster Laser
• PGEW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
• Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm
• Kleine Lichtquelle durch Mehrkavitäten-Laser
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe optische Pulsleistung
• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
• 905 nm gepulster Laser
• PGEW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
• Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm
• Kleine Lichtquelle durch Mehrkavitäten-Laser
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe optische Pulsleistung
• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich