TPGEW1S03H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die TPGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 20 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Diese gepulste 905 nm Laserdiode in einem TO-ähnlichen Kunststoffgehäuse wurde für kommerzielle LiDAR- und Entfernungsmessungsanwendungen in Großserienfertigung entwickelt.
Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu vier aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 85 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Die mittlere Emissionswellenlänge ist gut auf die maximale spektrale Empfindlichkeit unserer Avalanche-Photodioden der C30737 Serie abgestimmt.
- • 905 nm gepulster Laser
- • PGEW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
- • Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm
- • kleine emissionsquelle durch mehrkavitäten-laser.
- • „Quantum Well“-Struktur
- • Hohe optische Pulsleistung
- • Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
- • 905 nm gepulster Laser
- • PGEW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
- • Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm
- • kleine emissionsquelle durch mehrkavitäten-laser.
- • „Quantum Well“-Struktur
- • Hohe optische Pulsleistung
- • Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich