TPGEW1S03H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die TPGEW1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 20 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Diese gepulste 905 nm Laserdiode in einem TO-ähnlichen Kunststoffgehäuse wurde für kommerzielle LiDAR- und Entfernungsmessungsanwendungen in Großserienfertigung entwickelt.
Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu vier aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 85 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Die mittlere Emissionswellenlänge ist gut auf die maximale spektrale Empfindlichkeit unserer Avalanche-Photodioden der C30737 Serie abgestimmt.
• 905 nm gepulster Laser
• PGEW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
• Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm
• Kleine Emissionsquelle durch Mehrkavitäten-Laser.
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe optische Pulsleistung
• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
• 905 nm gepulster Laser
• PGEW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
• Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm
• Kleine Emissionsquelle durch Mehrkavitäten-Laser.
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe optische Pulsleistung
• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich