TEIL/ DPGEW1S03H
DPGEW1S03H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität,
3 mil Streifenbreite im Kunststoffgehäuse
Die DPGEW1S03H ist eine gepulste 905 nm Laserdiode im Kunststoffgehäuse die einen Chip mit 75 µm breiter Zweifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 13 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Diese gepulste 905 nm Laserdiode in TO-ähnlichen Kunststoffgehäusen eignet sich für kommerzielle LiDAR- und Entfernungsmessungsanwendungen in der Großserienfertigung.
Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern an, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu 4 aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 85 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Die mittlere Emissionswellenlänge ist gut auf die maximale spektrale Empfindlichkeit unserer Avalanche-Photodioden der C30737 Serie abgestimmt.
- • 905 nm gepulster Laser
- • PGEW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
- • Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm
- • Kleine Lichtquelle durch Mehrkavitäten-Laser
- • „Quantum Well“-Struktur
- • Hohe optische Pulsleistung
- • Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
- • 905 nm gepulster Laser
- • PGEW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
- • Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm
- • Kleine Lichtquelle durch Mehrkavitäten-Laser
- • „Quantum Well“-Struktur
- • Hohe optische Pulsleistung
- • Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich