LTPGAU1S09 – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite im Metallgehäuse
Die LTPGAU1S09 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 75 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Diese gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse wurde für kommerzielle LiDAR- und Entfernungsmessungsanwendungen in der Großserienfertigung entwickelt.
Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern an, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu 4 aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 75 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Die mittlere Emissionswellenlänge ist gut auf die maximale spektrale Empfindlichkeit unserer Avalanche-Photodioden der C30737 Serie abgestimmt.
• 905 nm gepulster Laser
• LPGAU Serie: Metallgehäuse für kommerzielle Anwendungen in der Großserienfertigung
• Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm
• Kleine Lichtquelle durch Mehrkavitäten-Laser
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe optische Pulsleistung
• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
• 905 nm gepulster Laser
• LPGAU Serie: Metallgehäuse für kommerzielle Anwendungen in der Großserienfertigung
• Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm
• Kleine Lichtquelle durch Mehrkavitäten-Laser
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe optische Pulsleistung
• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich