905-nm-PLD im U-Gehäuse
TEIL/ LTPGAU1S03

LTPGAU1S03 – 905 nm PLD, Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite im Metallgehäuse

Die LTPGAU1S03 ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Diese gepulste 905 nm Laserdiode mit Metallgehäuse wurde für kommerzielle LiDAR- und Entfernungsmessungsanwendungen in der Großserienfertigung entwickelt.

Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern an, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu 4 aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 75 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Die mittlere Emissionswellenlänge ist gut auf die maximale spektrale Empfindlichkeit unserer Avalanche-Photodioden der C30737 Serie abgestimmt.

• 905 nm gepulster Laser

• LPGAU Serie: Metallgehäuse für kommerzielle Anwendungen in der Großserienfertigung

• Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm

• Kleine Emissionsquelle durch Mehrkavitäten-Laser.

• „Quantum Well“-Struktur

• Hohe optische Pulsleistung

• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich

• 905 nm gepulster Laser

• LPGAU Serie: Metallgehäuse für kommerzielle Anwendungen in der Großserienfertigung

• Streifenbreite von 37,5 µm, 75 µm und 225 µm

• Kleine Emissionsquelle durch Mehrkavitäten-Laser.

• „Quantum Well“-Struktur

• Hohe optische Pulsleistung

• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich

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