TPG2EW1S09 – 905 nm Generation 2 Dreifach-Kavität 225 µm Kunststoff-PLD

Der gepulste „Generation 2“-Halbleiterlaser von Excelitas, der bei 905 nm im nahen IR emittiert, nutzt ein mehrschichtiges monolithisches Chipdesign. Die verbesserte GaAs-Struktur bietet 85 W gepulste Spitzenleistung bei Betrieb mit 30 A. Das mehrschichtige Chipdesign weist eine emittierende Fläche von (225 x 10) μm mit Emission von drei Laserlinien auf und bietet eine hohe Ausgangsleistung auf einer kleinen emittierenden Fläche. Das kunststoffverkapselte T1¾-Gehäuse (TO-ähnlich) ergänzt die Epi-Cavity-Laser der PGA-Serie von Excelitas in hermetischen Metall- oder SMD-Gehäusen und ist ideal für Anwendungen mit hohen Stückzahlen geeignet.