TPG2EW1S09 – 905 nm Generation 2 Dreifach-Kavität 225 µm Kunststoff-PLD
The Excelitas Generation 2 pulsed semiconductor laser, emitting at 905 nm in the near IR, uses a multi-layer monolithic chip design. Die verbesserte GaAs-Struktur bietet 85 W gepulste Spitzenleistung bei Betrieb mit 30 A. Das mehrschichtige Chipdesign weist eine emittierende Fläche von (225 x 10) μm mit Emission von drei Laserlinien auf und bietet eine hohe Ausgangsleistung auf einer kleinen emittierenden Fläche. Das kunststoffverkapselte T1¾-Gehäuse (TO-ähnlich) ergänzt die Epi-Cavity-Laser der PGA-Serie von Excelitas in hermetischen Metall- oder SMD-Gehäusen und ist ideal für Anwendungen mit hohen Stückzahlen geeignet.
Diese gepulste 905 nm Laserdiode in einem TO-ähnlichen Kunststoffgehäuse wurde für kommerzielle LiDAR- und Entfernungsmessungsanwendungen in Großserienfertigung entwickelt.
Excelitas bietet eine breite Palette von 905 nm-Lasern, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu vier (4) aktiven Kavitäten pro Chip bei Geräten der ersten Generation. Unsere Laser der zweiten Generation bieten eine mehr als 20-prozentige Steigerung der optischen Leistung bei gleichem Treiberstrom. Die mittlere Emissionswellenlänge ist gut auf die maximale spektrale Empfindlichkeit unserer Avalanche-Photodioden der C30737 Serie abgestimmt.
- 905 nm gepulster Laser
- PG2EW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
- 225 µm Streifenbreite, andere Geometrien auf Anfrage
- 3 W/A Leistungssteilheit
- Mehrkavitäten-Laser mit Quantenmuldenstruktur
- Leistungsabfall < 20% @ Tmax
- >20% Zunahme der gepulsten Spitzenleistung im Vergleich zu Geräten der Generation 1
- Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
- 905 nm gepulster Laser
- PG2EW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
- 225 µm Streifenbreite, andere Geometrien auf Anfrage
- 3 W/A Leistungssteilheit
- Mehrkavitäten-Laser mit Quantenmuldenstruktur
- Leistungsabfall < 20% @ Tmax
- >20% Zunahme der gepulsten Spitzenleistung im Vergleich zu Geräten der Generation 1
- Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
