Excelitas Gen 2 TPG2EW1S09 Gepulste Halbleiter-Laserdiode
TEIL/ TPG2EW1S09

TPG2EW1S09 – 905 nm Generation 2 Dreifach-Kavität 225 µm Kunststoff-PLD

Der gepulste „Generation 2“-Halbleiterlaser von Excelitas, der bei 905 nm im nahen IR emittiert, nutzt ein mehrschichtiges monolithisches Chipdesign. Die verbesserte GaAs-Struktur bietet 85 W gepulste Spitzenleistung bei Betrieb mit 30 A. Das mehrschichtige Chipdesign weist eine emittierende Fläche von (225 x 10) μm mit Emission von drei Laserlinien auf und bietet eine hohe Ausgangsleistung auf einer kleinen emittierenden Fläche. Das kunststoffverkapselte T1¾-Gehäuse (TO-ähnlich) ergänzt die Epi-Cavity-Laser der PGA-Serie von Excelitas in hermetischen Metall- oder SMD-Gehäusen und ist ideal für Anwendungen mit hohen Stückzahlen geeignet.

Diese gepulste 905 nm Laserdiode in einem TO-ähnlichen Kunststoffgehäuse wurde für kommerzielle LiDAR- und Entfernungsmessungsanwendungen in Großserienfertigung entwickelt.

Excelitas bietet eine breite Palette von 905 nm-Lasern, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu vier (4) aktiven Kavitäten pro Chip bei Geräten der ersten Generation. Unsere Laser der zweiten Generation bieten eine mehr als 20-prozentige Steigerung der optischen Leistung bei gleichem Treiberstrom. Die mittlere Emissionswellenlänge ist gut auf die maximale spektrale Empfindlichkeit unserer Avalanche-Photodioden der C30737 Serie abgestimmt.

  • 905 nm gepulster Laser
  • PG2EW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
  • 225 µm Streifenbreite, andere Geometrien auf Anfrage
  • 3 W/A Leistungsanstieg
  • Mehrkavitäten-Laser mit Quantenmuldenstruktur
  • Leistungsabfall < 20% @ Tmax
  • >20% Zunahme der gepulsten Spitzenleistung im Vergleich zu Geräten der Generation 1
  • Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
  • 905 nm gepulster Laser
  • PG2EW-Reihe: Kunststoffgehäuse für kommerzielle Anwendungen
  • 225 µm Streifenbreite, andere Geometrien auf Anfrage
  • 3 W/A Leistungsanstieg
  • Mehrkavitäten-Laser mit Quantenmuldenstruktur
  • Leistungsabfall < 20% @ Tmax
  • >20% Zunahme der gepulsten Spitzenleistung im Vergleich zu Geräten der Generation 1
  • Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
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