905-nm-PLD im S-Gehäuse
TEIL/ QPGAS2S09H

QPGAS2S09H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die QPGAS2S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem zweifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 200 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Diese gepulste 905 nm Laserdiode mit Mehrfach-Kavität und Metallgehäuse wurde für moderne Entfernungsmessungsanwendungen entwickelt.

Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu vier aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 100 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Durch das Stapeln von bis zu drei Laserchips sind maximal 300 W an optischer Spitzenleistung möglich.

• 905 nm gepulster Laser
• QPGA-Reihe: Chip-Reihe mit Vierfach-Kavität
• Einzelne und gestapelte Laserdioden erhältlich
• Kleine Lichtquelle durch Mehrkavitäten-Laser
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe optische Pulsleistung
• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich

• 905 nm gepulster Laser
• QPGA-Reihe: Chip-Reihe mit Vierfach-Kavität
• Einzelne und gestapelte Laserdioden erhältlich
• Kleine Lichtquelle durch Mehrkavitäten-Laser
• „Quantum Well“-Struktur
• Hohe optische Pulsleistung
• Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich

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