Gepulste 905 nm Halbleiter-Laserdioden

Die PGA-Serie gepulster Hochleistungslaserdioden bietet eine Vielzahl von Konfigurationen für anspruchsvollste Anwendungen. Verfügbar in verschiedenen hermetischen Metallgehäusen sind diese gepulsten Laserdioden (PLD) so konstruiert, dass sie unter rauen Umgebungsbedingungen hervorragende Leistungen liefern. Mit Streifenbreiten ab 75 µm und Leistungen bis 300 W offeriert Excelitas für jede Anwendung die passende gepulste Laserdiode.

DPGAS1S03H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die DPGAS1S03H ist eine hocheffiziente gepulste Laserdiode in einem Metallgehäuse mit einer Wellenlänge von 905 nm, bestehend aus einem Chip mit Zweifach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm. Die Ausgangsleistung beträgt 16 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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DPGAS1S09H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die DPGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse, bestehend aus einem Chip mit einer 225 µm Streifenbreite. Die Ausgangsleistung beträgt 50 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGAS1S03H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die PGAS1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 8 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGAS1S06H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 6 mil Streifenbreite

Die PGAS1S06H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 150 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 15 W bei 15 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGAS1S09H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die PGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 22 W bei 22 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGAS1S12H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 12 mil Streifenbreite

Die PGAS1S12H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 300 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 30 W bei 30 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGAS1S16H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 16 mil Streifenbreite

Die PGAS1S16H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 400 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 40 W bei 40 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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PGAS1S24H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 24 mil Streifenbreite

Die PGAS1S24H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 600 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 60 W bei 60 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGAS1S03H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die QPGAS1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse. Sie besteht aus einem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm. Die Ausgangsleistung beträgt 31 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGAS1S09H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die QPGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse. Sie besteht aus einem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm. Die Ausgangsleistung beträgt 100 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGAS2S03H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die QPGAS2S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem zweifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 62 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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QPGAS2S09H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die QPGAS2S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem zweifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 200 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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QPGAS3S03H – 905 nm PLD, dreifach gestapelter Chip, mit Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die QPGAS3S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse, die aus einem dreifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 90 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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QPGAS3S09H – 905 nm PLD, dreifach gestapelter Chip, mit Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die QPGAS3S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse, die aus einem dreifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 300 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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TPGAS1S03H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die TPGAS1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
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TPGAS1S09H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die TPGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 75 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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TPGAS2S03H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die TPGAS2S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die zwei gestapelte Chips mit jeweils 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 45 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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TPGAS2S09H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die TPGAS2S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905-nm-Laserdiode im Metallgehäuse, die zwei gestapelte Chips mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 150 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
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Zusätzliche Ressourcen
Warum sollten Sie sich für Excelitas als Ihren Anbieter von gepulsten 905 nm Halbleiter-Laserdioden entscheiden?

Basierend auf jahrzehntelanger Erfahrung hat sich Excelitas einen hervorragenden Ruf für seine hochmodernen Photonik-Lösungen erworben, die den Anforderungen unserer OEM- und Endkunden weltweit gerecht werden. Unser umfassendes Portfolio umfasst hochempfindliche, leistungsstarke optische Detektoren und gepulste Laserdioden, mit deren Hilfe unsere Kunden ihre Technologien und Innovationen vorantreiben können.

Welche Anwendungsmöglichkeiten gibt es für gepulste 905 nm Halbleiter-Laserdioden?

Gepulste Halbleiterlaserdioden mit einer Wellenlänge von 905 nm sind eine besondere Art von Dioden, die Licht in Form von Pulsen mit einer Wellenlänge von 905 nm emittieren anstatt als kontinuierliche Strahlen. Diese Komponenten erzeugen hochintensive Lichtblitze, die je nach Design und Verwendungszweck Nano- bis Mikrosekunden dauern können.

Die hochleistungsfähigen gepulsten Laserdioden der PGA-Serie von Excelitas bieten eine Vielzahl von Konfigurationen, die selbst den anspruchsvollsten Anforderungen gerecht werden. Aufgrund ihrer einzigartigen Eigenschaften eignen sie sich für Anwendungen, die hohe Laserenergiepulse oder schnelle Schaltvorgänge erfordern, wie zum Beispiel Lichterkennung, Entfernungsmessung (LiDAR) und Laserspektroskopie.

Welche Arten von gepulsten 905 nm Halbleiter-Laserdioden bieten Sie an?

Excelitas bietet mit der PGA-Serie eine breite Palette an gepulsten 905 nm Halbleiter-Laserdioden an, die für eine einfache Integration in Ihre spezifische Anwendung entwickelt wurden.

Erfahren Sie mehr über die PGA-Serie:​​​​​​​

  • PGAS1S03H – 905 nm Einzel-Kavität 3 mil PLD – hocheffiziente 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, bestehend aus einem Single-Stack-Chip mit einer Streifenbreite von 75 µm und einer Ausgangsleistung von 8 W bei 10 A.

  • DPGAS1S03H – 905 nm Dual-Kavität 3 mil PLD – ein Single-Stack-Chip mit dualer Kavität, einer Streifenbreite von 75 µm und einer Leistung von 16 W bei 10 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • TPGAS1S03H – 905 nm Dreifach-Kavität 3 mil PLD – zeichnet sich durch ähnliche Spezifikationen wie das Modell DPGAS1S03H aus, wird aber als Single-Stack-Chip mit Dreifach-Kavität und 75 µm Streifenbreite geliefert für eine Leistung von 24 W bei 10 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • QPGAS1S03H – 905 nm Vierfach-Kavität 3 mil PLD – bietet 31 W bei 10 A mit einem Single-Stack-Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm.

  • PGAS1S06H – 905 nm Einzel-Kavität 6 mil PLD – hocheffiziente Diode mit Single-Stack-Chip und einer Einzel-Kavität mit Streifenbreite von 150 µm und einer Leistung von 15 W bei 15 A, getestet mit einer Pulsbreite von 150 ns.

  • PGAS1S09H – 905 nm Einzel-Kavität 9 mil PLD – besteht aus einem Single-Stack-Chip mit Einzel-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm für eine Leistung von 22 W bei 22 A, getestet mit einer Pulsbreite von 150 ns.

  • DPGAS1S09H – 905nm Dual-Kavität 9 mil PLD – besteht aus einem Single-Stack-Chip mit Einzel-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm für eine Leistung von 50 W bei 30 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • TPGAS1S09H – 905 nm Dreifach-Kavität 9 mil PLD – besteht aus einem Single-Stack-Chip mit Dreifach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm für eine Leistung von 75 W bei 30 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • QPGAS1S09H – 905 nm Vierfach-Kavität 9 mil PLD – Single-Stack-Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm für eine Leistung von 100 W bei 30 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • PGAS1S12H – 905 nm Einzel-Kavität 12 mil PLD – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode im Metallgehäuse mit Single-Stack-Chip und einer Einzel-Kavität mit einer Streifenbreite von 300 µm für eine Leistung von 30 W bei 30 A, getestet mit einer Pulsbreite von 150 ns.

  • PGAS1S16H – 905 nm Einzel-Kavität 16 mil PLD – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode im Metallgehäuse mit Single-Stack-Chip und einer Einzel-Kavität mit einer Streifenbreite von 400 µm für eine Leistung von 40 W bei 40 A, getestet mit einer Pulsbreite von 150 ns.

  • PGAS1S24H – 905 nm Einzel-Kavität 24 mil PLD – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode im Metallgehäuse mit Single-Stack-Chip und einer Einzel-Kavität mit einer Streifenbreite von 600 µm für eine Leistung von 60 W bei 60 A, getestet mit einer Pulsbreite von 150 ns.

  • PGAS2S03H – 905 nm Dreifach-Kavität 3 mil Doppelstapel-PLD – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode im Metallgehäuse mit einem Single-Stack-Chip und Dreifach-Kavität mit einer Streifenbreite von 75 µm für eine Leistung von 45 W bei 10 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • QPGAS2S03H – 905 nm Vierfach-Kavität 3 mil Doppelstapel-PLD – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode im Metallgehäuse mit Dual-Stack-Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm für eine Leistung von 62 W bei 10 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • TPGAS2S09H – 905 nm Dreifach-Kavität 9 mil Doppelstapel-PLD – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode im Metallgehäuse mit einem Dual-Stack-Chip mit Dreifach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm für eine Leistung von 150 W bei 30 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • QPGAS2S09H – 905 nm Vierfach-Kavität 9 mil Doppelstapel-PLD – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode im Metallgehäuse mit Dual-Stack-Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm für eine Leistung von 200 W bei 30 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • QPGAS3S03H – 905 nm Vierfach-Kavität 3 mil Dreierstapel-PLD​​​​​​​ – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode im Metallgehäuse mit einem Triple-Stack-Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm für eine Leistung von 90 W bei 10 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

  • QPGAS3S09H – 905 nm Vierfach-Kavität 9 mil Dreierstapel-PLD – eine hocheffiziente gepulste Laserdiode im Metallgehäuse mit einem Dual-Stack-Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm für eine Leistung von 300 W bei 30 A, getestet mit einer Pulsbreite von 100 ns.

Welche Anwendungen gibt es für gepulste 905 nm Halbleiter-Laserdioden?

Das umfangreiche Portfolio an Laserdioden von Excelitas bietet Zuverlässigkeit und konstante Leistungsfähigkeit in Bezug auf Leistung, Pulsdauer und Pulswiederholrate. Diese Eigenschaften eignen sich besonders für folgende Anwendungen:

  • Lichterkennung und Entfernungsmessung (LiDAR)
  • Industrielle Sensorik​​​​​​​
  • Automatisierung
  • Laser-Höhenmessung​​​​​​​
  • Entfernungsmessung und Zielerfassung
  • Automobil
  • Näherungssensorik​​​​​​​
  • Waffensimulation
  • Optische Warnleuchten
  • Industrielle Messtechnik
  • ​​​​​​​Laserschutzvorhänge
Bieten Sie individuell angepasste gepulste 905 nm Halbleiter-Laserdioden an?

Excelitas ist seit Jahrzehnten ein bewährter Hersteller und Lieferant verschiedener Laserdioden-Lösungen für unsere Kunden weltweit. Wir haben stets sicher gestellt unsere Produkte in Bezug auf Qualität und Zuverlässigkeit auf einem gleichbleibend hohem Niveau auszuliefern und gleichzeitig haben wir unsere Technologie weiterentwickelt, um eine reibungslose Integration in Ihre Anwendungen zu ermöglichen. Sollten unsere Kunden keine geeigneten Bauteile für ihre individuellen Spezifikationen finden können, arbeiten wir gerne eng mit ihnen zusammen, um eine perfekt auf ihre spezifischen Bedürfnisse zugeschnittenen Lösung zu entwickeln, die höchste Qualität, Robustheit und eine schnelle Markteinführung gewährleistet. Setzen Sie sich noch heute mit uns in Verbindung.