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Gepulste 905 nm Halbleiter-Laserdioden

Die PGA-Serie gepulster Hochleistungslaserdioden bietet eine Vielzahl von Konfigurationen für anspruchsvollste Anwendungen. Verfügbar in verschiedenen hermetischen Metallgehäusen sind diese gepulsten Laserdioden (PLD) so konstruiert, dass sie unter rauen Umgebungsbedingungen hervorragende Leistungen liefern. Mit Streifenbreiten ab 75 µm und Leistungen bis 300 W offeriert Excelitas für jede Anwendung die passende gepulste Laserdiode.

Datenblatt zur PGA-Serie von Einzel-EPI 905 nm gepulsten Laser-Halbleiterdioden
Datenblatt zur PGA-Serie von Multi- und Einzel-EPI 905 nm gepulsten Laser-Halbleiterdioden
Gepulste 905 nm Halbleiter-Laserdioden

Produktliste

Teilenummer
PGAS1S03H

PGAS1S03H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die PGAS1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 8 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
DPGAS1S03H

DPGAS1S03H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die DPGAS1S03H ist eine hocheffiziente gepulste Laserdiode in einem Metallgehäuse mit einer Wellenlänge von 905 nm, bestehend aus einem Chip mit Zweifach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm. Die Ausgangsleistung beträgt 16 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
TPGAS1S03H

TPGAS1S03H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die TPGAS1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 24 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
QPGAS1S03H

QPGAS1S03H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die QPGAS1S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse. Sie besteht aus einem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm. Die Ausgangsleistung beträgt 31 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
PGAS1S06H

PGAS1S06H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 6 mil Streifenbreite

Die PGAS1S06H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 150 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 15 W bei 15 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
PGAS1S09H

PGAS1S09H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die PGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 22 W bei 22 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
DPGAS1S09H

DPGAS1S09H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die DPGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse, bestehend aus einem Chip mit einer 225 µm Streifenbreite. Die Ausgangsleistung beträgt 50 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
TPGAS1S09H

TPGAS1S09H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die TPGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 75 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
Teilenummer
QPGAS1S09H

QPGAS1S09H – 905 nm PLD, Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die QPGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse. Sie besteht aus einem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm. Die Ausgangsleistung beträgt 100 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
PGAS1S12H

PGAS1S12H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 12 mil Streifenbreite

Die PGAS1S12H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 300 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 30 W bei 30 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
PGAS1S16H

PGAS1S16H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 16 mil Streifenbreite

Die PGAS1S16H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 400 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 40 W bei 40 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
PGAS1S24H

PGAS1S24H – 905 nm PLD, Einzel-Kavität, 24 mil Streifenbreite

Die PGAS1S24H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 600 µm breiter Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 60 W bei 60 A und einer Pulslänge von 150 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
TPGAS2S03H

TPGAS2S03H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Dreifach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die TPGAS2S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die zwei gestapelte Chips mit jeweils 75 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 45 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
Teilenummer
QPGAS2S03H

QPGAS2S03H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die QPGAS2S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem zweifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 62 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
Teilenummer
TPGAS2S09H

TPGAS2S09H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die TPGAS2S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905-nm-Laserdiode im Metallgehäuse, die zwei gestapelte Chips mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 150 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
Teilenummer
QPGAS2S09H

QPGAS2S09H – 905 nm PLD, zweifach gestapelter Chip mit Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die QPGAS2S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die aus einem zweifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 200 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.
Teilenummer
QPGAS3S03H

QPGAS3S03H – 905 nm PLD, dreifach gestapelter Chip, mit Vierfach-Kavität, 3 mil Streifenbreite

Die QPGAS3S03H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse, die aus einem dreifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 75 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 90 W bei 10 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.
Teilenummer
QPGAS3S09H

QPGAS3S09H – 905 nm PLD, dreifach gestapelter Chip, mit Vierfach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die QPGAS3S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse, die aus einem dreifach gestapeltem Chip mit Vierfach-Kavität und einer Streifenbreite von 225 µm besteht. Die Ausgangsleistung beträgt 300 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.