905 nm gepulste Laserdiode im S-Gehäuse
TEIL/ DPGAS1S09H

DPGAS1S09H – 905 nm PLD, Zweifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die DPGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode in einem Metallgehäuse, bestehend aus einem Chip mit einer 225 µm Streifenbreite. Die Ausgangsleistung beträgt 50 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in verschiedenen Gehäusevarianten.

Diese gepulste 905 nm Laserdiode mit Mehrfach-Kavität und Metallgehäuse wurde für moderne Entfernungsmessungen entwickelt.

Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern, darunter monolithische Mehrkanal-Laser mit bis zu vier aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 100 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Durch das Stapeln von bis zu drei Laserchips sind maximal 300 W an optischer Spitzenleistung möglich.

  • • 905 nm gepulster Laser
  • • DPGA-Reihe: Chip-Reihe mit Zweifach-Kavität
  • • Einzelne und gestapelte Laserdioden erhältlich
  • • Kleine Lichtquelle durch Mehrkavitäten-Laser
  • • „Quantum Well“-Struktur
  • • Hohe optische Pulsleistung
  • • Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
  • • 905 nm gepulster Laser
  • • DPGA-Reihe: Chip-Reihe mit Zweifach-Kavität
  • • Einzelne und gestapelte Laserdioden erhältlich
  • • Kleine Lichtquelle durch Mehrkavitäten-Laser
  • • „Quantum Well“-Struktur
  • • Hohe optische Pulsleistung
  • • Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
Schließen