905 nm gepulste Laserdiode im S-Gehäuse
TEIL/ TPGAS1S09H

TPGAS1S09H – 905 nm PLD mit Dreifach-Kavität, 9 mil Streifenbreite

Die TPGAS1S09H ist eine hocheffiziente, gepulste 905 nm Laserdiode im Metallgehäuse, die einen Chip mit 225 µm breiter Dreifach-Kavität enthält. Die Ausgangsleistung beträgt 75 W bei 30 A und einer Pulslänge von 100 ns, ebenso verfügbar in weiteren Gehäusevarianten.

Diese gepulste 905 nm Laserdiode mit Mehrfach-Kavität und Metallgehäuse wurde für moderne Entfernungsmessungsanwendungen entwickelt.

Excelitas bietet eine breite Palette an 905 nm Lasern, darunter monolithische Mehrfach-Kavitäten mit bis zu vier aktiven Kavitäten pro Chip. Diese ermöglichen bis zu 100 W an maximaler optischer Ausgangsleistung. Durch das Stapeln von bis zu drei Laserchips sind maximal 300 W an optischer Spitzenleistung möglich.

  • • 905 nm gepulster Laser
  • • TPGA-Reihe: Chip-Reihe mit Dreifach-Kavität
  • • Einzelne und gestapelte Laserdioden erhältlich
  • • kleine emissionsquelle durch mehrkavitäten-laser.
  • • „Quantum Well“-Struktur
  • • Hohe optische Pulsleistung
  • • Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
  • • 905 nm gepulster Laser
  • • TPGA-Reihe: Chip-Reihe mit Dreifach-Kavität
  • • Einzelne und gestapelte Laserdioden erhältlich
  • • kleine emissionsquelle durch mehrkavitäten-laser.
  • • „Quantum Well“-Struktur
  • • Hohe optische Pulsleistung
  • • Ausgezeichnete Leistungsstabilität über den gesamten Temperaturbereich
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