TEIL/ VTB1012H
VTB1012H – Si-PD, TO-46, 1,6 mm2
Die VTB1012H ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetischen TO-46-Gehäuse mit flachem Fenster. Diese Photodiode bietet eine höhere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich sowie einen sehr hohen Shuntwiderstand bei extrem niedrigem Dunkelstrom.
Die blau-verstärkte Silizium-Photodiode VTB1012H verfügt über eine aktive Fläche von 1,6 mm2 und ist auf einen Spektralbereich zwischen 320 nm und 1100 nm ausgelegt.
Diese Serie von planaren P-auf-N-Silizium-Photodioden wurde für eine optimale Empfindlichkeit im gesamten sichtbaren Bereich des Spektrums entwickelt. Die Photodioden sind in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, können aber auch mit einer geringen Sperrvorspannung betrieben werden. Sie weisen außerdem einen sehr hohen Shuntwiderstand auf – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.
Hauptmerkmale:
- Spektralbereich von UV bis naher IR-Bereich
- 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Extrem geringer Dunkelstrom
- Sehr hoher Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Blaulichterkennung
- Lichtmessung
- Flammenüberwachung
- Photometrie
- Aktive Fläche: 1,6 mm2
- Kurzschlußstrom: min. 8 µA bei 100 fc, 2850 K
- Dunkelstrom: max. 100 pA bei 2 V Sperrvorspannung
- Sperrschichtkapazität: typ. 0,31 nF bei 0 V Vorspannung
- Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
- Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
- Erfassungsbereich: ±35 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
- Aktive Fläche: 1,6 mm2
- Kurzschlußstrom: min. 8 µA bei 100 fc, 2850 K
- Dunkelstrom: max. 100 pA bei 2 V Sperrvorspannung
- Sperrschichtkapazität: typ. 0,31 nF bei 0 V Vorspannung
- Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm
- Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm
- Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W
- Erfassungsbereich: ±35 Grad bei 50 % Signal (FWHM)