Photodioden und Arrays
Excelitas verwendet Silizium und IndiumGalliumArsenid Materialien für Photodioden zur Detektion im Wellenlängenbereich von 220 nm bis 1700 nm. Diese Photodioden werden in unterschiedlichen Chipgrößen angeboten, um den Kundenanforderungen hinsichtlich Empfindlichkeit, Geschwindigkeit und Bauform gerecht zu werden. Um eine große Bandbreite an spezifischen Anwendungen abzudecken, sind eine Vielzahl verschiedener Modelle erhältlich.
Unsere Photodioden-Arrays werden in bildgebenden Röntgenscannern eingesetzt. Die Röntgenstrahlen werden mit Hilfe eines geeigneten Szintillatorkristalls in sichtbares Licht umgewandelt. Das von dem Szintillator erzeugte Licht kann dann von der Photodiode detektiert werden. Die Arrays werden mit Chip-on-Board-Technologie gefertigt und sind optional mit Szintillatorkristall erhältlich.
Silizium PIN-Photodioden
Silizium PIN-Photodioden sind mit einer großen Auswahl an unterschiedlichen Sensorgrößen erhältlich, um ein breites Spektrum an verschiedenen Anwendungen abzudecken. Die PIN-Struktur ermöglicht eine hohe Quantenausbeute und kurze Reaktionszeit für die Photonendetektion im Wellenlängenbereich von 400 nm bis 1100 nm. Unsere YAG-Serie bietet außergewöhnliche 0,4 A/W bei 1060 nm unter Verwendung …
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Photodioden für die Radon-Detektion
Die VTH21 ist eine Silizium-Photodiode in Chipform für die optimale Erkennung von Alphateilchen, z. B. für Anwendungen zur Detektion von Radongas. Diese Silizium-Fotodioden mit niedriger Kapazität verfügen über ein robustes Chipdesign und bieten ein hohes Ansprechen auf die zu untersuchende Strahlung. Diese Photodioden sind ...
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Photodioden-Arrays
Excelitas offeriert eine große Auswahl an Photodiodenarrays. Mit typischen Chipabständen von 0,8 mm bis 2,5 mm bietet Excelitas ein vielfältiges Spektrum an Detektoren für Röntgenbildgebung. Zusätzlich zu einer breiten Palette von Standardkatalogartikeln bieten wir auch kundenspezifische Anpassungen an …
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Optoelektronische Komponenten für die Raucherkennung
Ein elektrooptischer Rauchmelder besteht aus einer Anordnung aus Sendediode und Photodiode, die bei Vorhandensein von Rauch ein Signal abgibt. Excelitas bietet emittierende Dioden und Photodioden sowie individuell angepasste Baugruppen an, um den Anforderungen von elektrooptischen Rauchdetektoren zu entsprechen.
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InGaAs PIN-Photodioden
Unsere InGaAs PIN-Detektoren bieten eine hohe Quantenausbeute von 800 nm bis 1700 nm. Sie weisen eine niedrige Kapazität für eine erweiterte Bandbreite, hohen Widerstand für hohe Empfindlichkeit, hohe Linearität und Gleichförmigkeit innerhalb von zwei Prozent über die aktive Detektorfläche hinweg auf.
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Industriestandard-Si-Photodioden
Unsere Produktfamilie von Industriestandard-Silizium-Photodioden besteht aus unseren planaren Silizium-Photodioden der VTD-Serie in einem geformten Kunststoffgehäuse, das für infrarote Strahlung transparent ist und wahlweise sichtbares Licht blockiert. Diese Photodioden werden in vielen industriellen Anwendungen als Standardprodukt verwendet.
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Si-Photodioden mit schneller Ansprechzeit
Unsere Silizium-Photodioden der VTP-Baureihe bieten eine niedrige Sperrschichtkapazität schnelle Reaktionszeiten. Sie können unter Sperrvorspannung betrieben werden, um die Kapazität zu verringern und die Ansprechgeschwindigkeit weiter zu erhöhen, oder im Photovoltaik-Modus in Anwendungen, bei denen die Ansprechgeschwindigkeit unkritisch ist. Mit …
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Blau-verstärkte Si-Photodioden
Die blau-verstärkte VTB Baureihe von planaren P-auf-N-Silizium-Photodioden ist für eine hohe Empfindlichkeit über den sichtbaren Teil des Spektrums hinweg ausgelegt. Photodioden aus dieser Serie sind in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Betrieb vorgesehen, können aber auch mit einer kleinen Sperrvorspannung betrieben werden. Versionen mit einer …
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Umgebungslichtsensoren
Excelitas bietet Umgebungslichtsensoren an, die eine einfache Lösung für Anwendungen bereitstellen, die für einen Spektralbereich ausgelegt sind, der dem des menschlichen Auges ähnelt. Innerhalb dieser Produktfamilie bieten wir zwei Baureihen geeigneter Sensoren an: IR-blockende Silizium-Photodioden und IR-blockende Silizium-Phototransistoren.
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