VTB6061CIEH –Si-PD, TO-8, 37,7 mm2, CIE-Kurvenfilter
Die VTB6061CIEH ist eine Silizium-Photodiode in einem hermetisch dichten TO-8 Gehäuse mit flachem Eintrittsfenster. Neben einem eingebauten Filter, dessen Spektralempfindlichkeit der des menschlichen Auges entspricht, weist diese Photodiode einen sehr hohen Shuntwiderstand bei niedrigem Dunkelstrom auf.
Die VTB6061CIEH ist eine Silizium-Photodiode mit einer 37,7 mm2 aktiven Fläche. Sie ist in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, kann aber auch mit einer geringen Sperrvorspannung verwendet werden. Diese Photodiode wurde so konstruiert, dass sie einen sehr hohen Shuntwiderstand aufweist – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.
Hauptmerkmale:
- Sichtbarer Spektralbereich
- 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
- Extrem geringer Dunkelstrom
- Sehr hoher Shuntwiderstand
- RoHS-konform
Anwendungen:
- Umgebungslichtsensorik
- Lichtmessung
- Flammenüberwachung
- Photometrie
Aktive Fläche: 37,7 mm2
Photometrische Empfindlichkeit: min. 75 nA/fc bei 1 fc
Dunkelstrom: max. 2 nA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 8,0 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 460 nm bis 675 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 555 nm
Erfassungsbereich: ±55 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Aktive Fläche: 37,7 mm2
Photometrische Empfindlichkeit: min. 75 nA/fc bei 1 fc
Dunkelstrom: max. 2 nA bei 2 V Sperrvorspannung
Sperrschichtkapazität: typ. 8,0 nF bei 0 V Vorspannung
Spektralbereich: 460 nm bis 675 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 555 nm
Erfassungsbereich: ±55 Grad bei 50 % Signal (FWHM)