Blau-verstärkte Silizium-Photodioden von Excelitas
TEIL/ VTB8441H

VTB8441H – Si-PD, 8 mm Keramik, 5,16 mm2, niedriger Dunkelstrom

Die VTB8441H ist eine blau-verstärkte Silizium-Photodiode in einem 8 mm Keramikgehäuse, das mit einer klaren Epoxidschicht geschützt ist. Diese Photodiode bietet eine höhere Empfindlichkeit im blauen Spektralbereich sowie einen sehr hohen Shuntwiderstand bei extrem niedrigem Dunkelstrom.

 

 

Die blau-verstärkte Silizium-Photodiode VTB8441H bietet eine aktive Fläche von 5,16 mm2 und ist auf einen Spektralbereich zwischen 320 nm und 1100 nm ausgelegt. Diese Serie von planaren P-auf-N-Silizium-Photodioden wurde für eine optimale Empfindlichkeit im gesamten sichtbaren Bereich des Spektrums entwickelt.

Unsere blau-verstärkten Silizium-Photodioden sind in erster Linie für den Einsatz im Photovoltaik-Modus vorgesehen, können aber auch mit einer geringen Sperrvorspannung verwendet werden. Sie weisen einen sehr hohen Shuntwiderstand auf – eine Eigenschaft, die bei Verwendung in Trans-Impedanz-Operationsverstärkerschaltungen mit hoher Verstärkung zu niedrigen Offsetspannungen führt.

 

Hauptmerkmale:

  • Spektralbereich von UV bis naher IR-Bereich
  • 1–2 % Linearität über 7 bis 9 Dekaden (Kurzschlussstrom vs Beleuchtungsstärke)
  • Extrem geringer Dunkelstrom
  • Sehr hoher Shuntwiderstand
  • RoHS-konform

 

Anwendungen:

  • UV- und Blaulichterkennung
  • Lichtmessung
  • Flammenüberwachung
  • Photometrie

 

 

 

Aktive Fläche: 5,16 mm2

 

Kurzschlußstrom: min. 35 µA bei 100 fc, 2850 K

 

Dunkelstrom: max. 100 pA bei 2 V Sperrvorspannung

 

Sperrschichtkapazität: typ. 1,0 nF bei 0 V Vorspannung

 

Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm

 

Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm

 

Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W

 

Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)

 

 

Aktive Fläche: 5,16 mm2

 

Kurzschlußstrom: min. 35 µA bei 100 fc, 2850 K

 

Dunkelstrom: max. 100 pA bei 2 V Sperrvorspannung

 

Sperrschichtkapazität: typ. 1,0 nF bei 0 V Vorspannung

 

Spektralbereich: 320 nm bis 1100 nm

 

Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 920 nm

 

Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 0,5 A/W

 

Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)

 

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