VTT9812FH – Si-Phototransistor, 0,192 mm2
Der VTT9812FH ist ein Silizium-Phototransistor in einem infrarotblockierenden, flachen T-1¾-Gehäuse. Dieser Phototransistor bietet eine hervorragende Empfindlichkeit im sichtbaren Spektralbereich.
Der VTT9812FH ist ein Silizium-Phototransistor in einem infrarotblockierenden, flachen T-1¾-Kunststoffgehäuse. Er ist Bestandteil der bewährten VTT-Silizium-Phototransistor-Baureihe. Durch seine in das Kunststoffgehäuse integrierte IR-Blockung bietet dieser Phototransistor ein ausgezeichnetes Ansprechverhalten im sichtbaren Spektralbereich (450 bis 700 nm) und stellt damit eine RoHS-konforme Alternative zu Cadmiumsulfid-Photozellen dar. Der VTT9812FH wurde speziell als Dämmerungssensor bei schwachen Lichtverhältnissen mit ca. 0,2 bis 1 fc (2 bis 10 lux) konzipiert.
Hauptmerkmale:
- Empfindlichkeit an das sichtbare Sektrum angepasst ; Kunststoffgehäuse mit IR-blockierenden Eigenschaften
- Niedriger Dunkelstrom
- RoHS-konforme Alternative zu Photozellen
Anwendungen:
- Straßenlichtschaltung
- Lichtsteuerung für Innen- und Außenbereiche (Dämmerungsschalter)
- Scheinwerfer-Dimmer für Kraftfahrzeuge
- Display-Kontraststeuerung
- Energieeinsparung
Aktive Fläche: 0,192 mm2
Kurzschlußstrom: min. 60 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom:max. 50 nA bei 5 V VCE
Spektralbereich: 450 nm bis 700 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 585 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 7 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Löt-Temperatur: max. 260°C
Aktive Fläche: 0,192 mm2
Kurzschlußstrom: min. 60 µA bei 100 fc, 2850 K
Dunkelstrom:max. 50 nA bei 5 V VCE
Spektralbereich: 450 nm bis 700 nm
Wellenlänge der höchsten Empfindlichkeit: 585 nm
Maximale spektrale Empfindlichkeit (λPeak): typ. 7 A/W
Erfassungsbereich: ±50 Grad bei 50 % Signal (FWHM)
Löt-Temperatur: max. 260°C