Photodiodes à avalanche InGaAs C30662
La série C30662 propose diverses photodiodes à avalanche (APD) InGaAs de grande surface avec une région active de 200 µm. Les APD InGaAs d'Excelitas offrent un rendement quantique élevé, une grande responsivité et peu de bruit dans la plage spectrale comprise entre 1000 nm et 1700 nm. Ces appareils sont fournis dans un boîtier TO-18 hermétiquement scellé ou sur un support en céramique. Le boîtier céramique pour montage en surface facilite l’intégration dans les applications à grand volume.
La série C30662 d’Excelitas offre une bande passante élevée et un faible niveau de bruit, ce qui permet aux FEO et aux fabricants de systèmes d’atteindre des spécifications avancées en matière de bruit avec des rapports signal-bruit (RSB) optimaux. La nouvelle option de faible bruit améliore la portée et les performances des systèmes LiDAR et des systèmes de télémétrie sans danger pour les yeux, tout en conservant la même puissance de sortie laser. En outre, les applications cohérentes de réflectomètres optiques dans le domaine temporel (OTDR) et de détection par fibre, telles que les capteurs de température distribués (DTS) et les capteurs acoustiques distribués (DAS), bénéficient d’une sensibilité améliorée sur de plus longues distances lors de la détection de signaux Raman.
| Modèle de la série n° | Type d’emballage | Matériau de la fenêtre | Ouverture de fenêtre | Commentaires |
| C30662ECERH | Support en céramique | S.O. | S.O. | |
| C30662ECERH-1 | ΔV > 4 V | |||
| C30662EH | TO-18, 2 broches | Verre1 | Grande2 | |
| C30662EH-1 | ΔV > 4 V | |||
| C30662EH-2 | TO-46, 3 broches | 3. broche de masse | ||
| C30662EH-137 | TO-18, 2 broches | Petite | faible bruit, ΔV > 4 V | |
| C30662EH-3 | ||||
| C30662EH-5 | Silicium | Petite2 | ||
| C30662EH-7 | Verre1 | Grande2 | faible bruit | |
| C30662EH-27 | TO-46, 3 broches | faible bruit, 3. broche de masse | ||
| C30662L-200 | SMD | S.O. | ||
| C30662L-200-1 | Silicium | |||
| C30662L-200-7 | Verre1 | faible bruit | ||
| C30662L-200-17 | Silicium |
Remarque 1 : Le verre est transparent aux longueurs d’onde visibles et IR, tandis que le silicium bloque la lumière visible jusqu’à environ 1,1 µm.
Remarque 2 : Fenêtre avec revêtement antireflet.
| Paramètre | Symbole | Minimum | Typique | Maximum | Unités | |
| Temps de montée/descente | tr/tf | 0,4 | ns | |||
| Largeur de bande | f3 dB | 600 | 850 | MHz | ||
| Capacitance | Standard | C | 2,5 | pF | ||
| SMD | C | 2,7 | ||||
| Courant d’obscurité | Standard | iD | 13 | 35 | nA | |
| Faible bruit | iD | 7,5 | 15 | |||
| Bruit d’obscurité | Standard | iN | 0,45 | 1 | pA/√(Hz) | |
| Faible bruit | iN | 0,35 | 0,5 | |||
| Puissance équivalente au bruit | Standard | NEP | 48 | 106 | fW/√(Hz) | |
| Puissance équivalente au bruit | Faible bruit | NEP | 37 | 53 | ||
| Gain de fonctionnement | M | 10 | 20 | |||
| Point de fonctionnement par rapport à la tension de claquage | ΔV | 4 | V | |||
| Paramètre | Symbole | Minimum | Typique | Maximum | Unités |
| Tension de claquage | VBD | 45 | 50 | 70 | V |
| Domaine spectral | Δλ | 1000 | 1700 | nm | |
| Rendement quantique | RENDEMENT QUANTIQUE | 75 | % | ||
| Responsivité à 1550 nm | R | 9,3 | A/W | ||
| Coefficient de température de VBD | ΔV/ΔT | 0,14 | 0,2 | V/°C |
| Modèle de la série n° | Type d’emballage | Matériau de la fenêtre | Ouverture de fenêtre | Commentaires |
| C30662ECERH | Support en céramique | S.O. | S.O. | |
| C30662ECERH-1 | ΔV > 4 V | |||
| C30662EH | TO-18, 2 broches | Verre1 | Grande2 | |
| C30662EH-1 | ΔV > 4 V | |||
| C30662EH-2 | TO-46, 3 broches | 3. broche de masse | ||
| C30662EH-137 | TO-18, 2 broches | Petite | faible bruit, ΔV > 4 V | |
| C30662EH-3 | ||||
| C30662EH-5 | Silicium | Petite2 | ||
| C30662EH-7 | Verre1 | Grande2 | faible bruit | |
| C30662EH-27 | TO-46, 3 broches | faible bruit, 3. broche de masse | ||
| C30662L-200 | SMD | S.O. | ||
| C30662L-200-1 | Silicium | |||
| C30662L-200-7 | Verre1 | faible bruit | ||
| C30662L-200-17 | Silicium |
Remarque 1 : Le verre est transparent aux longueurs d’onde visibles et IR, tandis que le silicium bloque la lumière visible jusqu’à environ 1,1 µm.
Remarque 2 : Fenêtre avec revêtement antireflet.
| Paramètre | Symbole | Minimum | Typique | Maximum | Unités | |
| Temps de montée/descente | tr/tf | 0,4 | ns | |||
| Largeur de bande | f3 dB | 600 | 850 | MHz | ||
| Capacitance | Standard | C | 2,5 | pF | ||
| SMD | C | 2,7 | ||||
| Courant d’obscurité | Standard | iD | 13 | 35 | nA | |
| Faible bruit | iD | 7,5 | 15 | |||
| Bruit d’obscurité | Standard | iN | 0,45 | 1 | pA/√(Hz) | |
| Faible bruit | iN | 0,35 | 0,5 | |||
| Puissance équivalente au bruit | Standard | NEP | 48 | 106 | fW/√(Hz) | |
| Puissance équivalente au bruit | Faible bruit | NEP | 37 | 53 | ||
| Gain de fonctionnement | M | 10 | 20 | |||
| Point de fonctionnement par rapport à la tension de claquage | ΔV | 4 | V | |||
| Paramètre | Symbole | Minimum | Typique | Maximum | Unités |
| Tension de claquage | VBD | 45 | 50 | 70 | V |
| Domaine spectral | Δλ | 1000 | 1700 | nm | |
| Rendement quantique | RENDEMENT QUANTIQUE | 75 | % | ||
| Responsivité à 1550 nm | R | 9,3 | A/W | ||
| Coefficient de température de VBD | ΔV/ΔT | 0,14 | 0,2 | V/°C |