PIÈCE/ C30807EH
C30807EH – Photodiode Si PIN – 1,0 mm
La C30807EH est une photodiode PIN au silicium de haute qualité de type N avec puce de 1,0 mm de diamètre actif dans un boîtier TO-18 hermétiquement scellé conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. Cette gamme de produits présente un large éventail de surfaces photosensibles allant de 0,8 à 100 mm².
Caractéristiques et avantages :
- Sensibilité de photodétection élevée
- Réponse rapide
- Faible tension de fonctionnement
- Faible capacitance
- Boîtier hermétique
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- Systèmes de détection au laser
- La photométrie
- Transmission de données
- Instrumentation
- Commutation à grande vitesse
| Tension de claquage | >100 V |
| Capacitance | 2,5 pF |
| Courant d’obscurité | 10 nA/<50 nA |
| Courant de bruit | 60 fW/√Hz |
| Longueur d’onde maximale | 900 nm |
| Sensibilité | 0.6 A/W, à 900nm |
| Temps de montée/descente | <5/<10 ns |
| Tension de claquage | >100 V |
| Capacitance | 2,5 pF |
| Courant d’obscurité | 10 nA/<50 nA |
| Courant de bruit | 60 fW/√Hz |
| Longueur d’onde maximale | 900 nm |
| Sensibilité | 0.6 A/W, à 900nm |
| Temps de montée/descente | <5/<10 ns |