PIÈCE/ C30807EH
C30807EH – Photodiode Si PIN – 1,0 mm
La C30807EH est une photodiode PIN au silicium de haute qualité de type N avec puce de 1,0 mm de diamètre actif dans un boîtier TO-18 hermétiquement scellé conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. Cette gamme de produits présente un large éventail de surfaces photosensibles allant de 0,8 à 100 mm².
Caractéristiques et avantages :
- Sensibilité de photodétection élevée
- Réponse rapide
- Faible tension de fonctionnement
- Faible capacitance
- Boîtier hermétique
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- Systèmes de détection au laser
- La photométrie
- Transmission de données
- Instrumentation
- Commutation à grande vitesse
Tension de claquage : > 100 V
Capacitance : 2,5 pF
Courant d’obscurité : 10nA/<50 nA
Courant de bruit : < 60 fW/√Hz
Longueur d'onde maximale : 900 nm
Sensibilité de photodétection : 0,6 A/W à 900 nm
Temps de montée/descente : <5/<10 ns
Tension de claquage : > 100 V
Capacitance : 2,5 pF
Courant d’obscurité : 10nA/<50 nA
Courant de bruit : < 60 fW/√Hz
Longueur d'onde maximale : 900 nm
Sensibilité de photodétection : 0,6 A/W à 900 nm
Temps de montée/descente : <5/<10 ns