PIÈCE/ C30807EH

C30807EH – Photodiode Si PIN – 1,0 mm

La C30807EH est une photodiode PIN au silicium de haute qualité de type N avec puce de 1,0 mm de diamètre actif dans un boîtier TO-18 hermétiquement scellé conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. Cette gamme de produits présente un large éventail de surfaces photosensibles allant de 0,8 à 100 mm².

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Caractéristiques et avantages :

  • Sensibilité de photodétection élevée
  • Réponse rapide
  • Faible tension de fonctionnement
  • Faible capacitance
  • Boîtier hermétique
  • Conforme à la directive RoHS

Utilisations :

  • Systèmes de détection au laser
  • La photométrie
  • Transmission de données
  • Instrumentation
  • Commutation à grande vitesse

Breakdown Voltage: >100 V
Capacitance: 2.5 pF
Dark Current: 10nA/<50 nA
Noise Current: 60fW/√Hz
Peak Wavelength: 900 nm
Responsivity: 0.6 A/W, at 900nm
Rise/Fall Time: <5/<10 ns

Breakdown Voltage: >100 V
Capacitance: 2.5 pF
Dark Current: 10nA/<50 nA
Noise Current: 60fW/√Hz
Peak Wavelength: 900 nm
Responsivity: 0.6 A/W, at 900nm
Rise/Fall Time: <5/<10 ns

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