Photodiodes PIN en silicium

Les photodiodes PIN au silicium sont offertes dans une grande variété de régions actives afin de répondre aux besoins de différentes applications. La structure PIN offre un rendement quantique élevé et une réponse rapide pour la détection de photons dans la plage de 400 nm à 1100 nm.

Notre série YAG offre un exceptionnel 0,4 A/W à 1060 nm à l'aide d'un matériau en silicone épais.

Ressources supplémentaires
Pourquoi devrais-je choisir Excelitas comme fournisseur de photodiodes PIN au silicium?
Excelitas Technologies est un fabricant de technologies industrielles de premier plan qui fournit des solutions photoniques innovantes et adaptées au marché, conçues pour répondre aux besoins des clients OEM et des utilisateurs finaux dans le monde entier.​​​​​​​ Avec une équipe de plus de 7 500 personnes travaillant en Amérique du Nord, en Europe et en Asie, Excelitas est bien positionnée pour fournir des produits photoniques de pointe qui permettent à nos clients de réussir sur divers marchés finaux. L'engagement d'Excelitas à fabriquer des produits photoniques de premier plan s'étend à nos photodiodes PIN au silicium, qui sont produites dans un souci d'efficacité et de fiabilité.​​​​​​​ Ces dernières sont proposées avec différentes régions actives afin de répondre à une large gamme d'applications dans divers secteurs. Excelitas possède des dizaines d'années d'expérience dans le secteur et une expertise éprouvée dans la fourniture de solutions qui répondent aux exigences et aux objectifs des clients.
Quelles sont les différentes utilisations des photodiodes PIN au silicium?​​​​​​​
Les photodiodes PIN sont un type de photodiode dont la région non dopée (appelée couche intrinsèque) est prise en sandwich entre les régions dopées P et N. Dans ces dispositifs, les photons sont absorbés par la couche intrinsèque, qui crée à son tour un courant électrique induit par l'action de la lumière, appelé photocourant. Les photodiodes PIN au silicium (Si PIN) sont un type spécifique de photodiode à semi-conducteur dont la couche intrinsèque est constituée de silicium.​​​​​​​ En tant que semi-conducteurs, les photodiodes PIN au silicium ont une plus grande sensibilité à la lumière à faible spectre, telle que la lumière UV, tout en ayant des temps de réponse plus rapides et un bruit plus faible. Ces qualités sont particulièrement utiles dans des applications telles que les systèmes de communication optique, les composants d'inspection industrielle, les instruments médicaux et scientifiques et la surveillance de l'environnement.​​​​​​​
Quels types de photodiodes PIN au silicium proposez-vous?
Excelitas propose des photodiodes Si PIN capables de fonctionner sur un large spectre de longueurs d'onde allant de 400 à 1100 nm.​​​​​​​ Celles-ci présentent une grande variété de régions actives afin de répondre à un large éventail d'applications potentielles.​​​​​​​ Vous trouverez ci-dessous plus de détails sur les solutions complètes de photodiodes PIN au silicium d'Excelitas :​​​​​ ​
  • C30741PFH-15S : Offrent une réponse rapide et un rendement quantique élevé dans la gamme spectrale de 300 à 1100 nm. Leur plage de longueur d'onde de sensibilité maximale se situe entre 800 et 900 nm. Les photodiodes PIN Si de la série C30741PFH​​​​​​​ sont optimisées pour les applications à grande vitesse, à grand volume et à faible coût, et sont proposées dans des boîtiers en plastique.
  • C30741PH-15S Si PIN : Similaire à la série C30741PH, ce type de photodiode Si offre les mêmes fonctionnalités que le type précédent tout en fournissant une puce plus grande avec une région active de 1,5 x 1,5 mm dans un boîtier transparent T 1 ¾.
  • C30807EH – Photodiode Si PIN – 1,0mm : Comporte une puce de 1,0 mm de diamètre actif dans un boîtier TO-18 hermétiquement scellé, conçu pour une fonctionnalité optimale dans la gamme de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm.​​​​​​​ Elle peuvent présenter un large éventail de zones photosensibles allant de 0,8 mm2 à 100 mm2.
  • C30808EH – Photodiode Si PIN – 2,5 mm : Cette photodiode Si PIN est dotée d'une puce de 2,5 mm de diamètre actif dans un boîtier TO-5 hermétiquement scellé pour une fonctionnalité complète dans la gamme de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm avec des zones photosensibles de 0,8 mm2 à 100 mm2.
  • C30822EH – Photodiode Si PIN – 5 mm : Dotée d'une puce de plus grand diamètre actif (5,0 mm) et d'un boîtier TO-8 hermétiquement scellé pour garantir un fonctionnement efficace dans la gamme de longueurs d'onde allant de 300 à 1100 nm.
  • C30845EH – Si PIN – 8 mm –TO-8, à quadrants : Une photodiode PIN au silicium de type N, scellée hermétiquement dans un boîtier TO-8, conçue pour détecter la lumière dans la gamme de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm.​​​​​​​ Parmi toutes les séries, celle-ci possède la plage de détection la plus étendue, soit de 50 mm2, ce qui la rend utile pour obtenir des informations sur la position des points focalisés et défocalisés, que ce soit en mode pulsé ou continu​​​​​​​.
  • FFD-100H – Si PIN – 2,5 mm – TO-5, PC , ultrarapide​​​​​​​ : Présente une sensibilité maximale à 920 nm tout en ayant un temps de montée et de descente ultrarapide, un faible NEP et une faible tension de fonctionnement. Elle comprend un blindage de 2,5 mm avec un diamètre actif hermétiquement scellé dans un boîtier TO-5.
  • FFD-200H – Si PIN – 5 mm – TO-8, PC, ultrarapide : La FFD-200H se caractérise par des temps de montée et de descente ultrarapides, un faible NEP et une faible tension de fonctionnement. Ce type de photodiode au silicium présente une sensibilité accrue et un plus grand diamètre actif de 5,0 mm dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé.
  • FND-100GH – Si PIN – 2,5 mm- TO-5, PC, ultrarapide, fenêtre en verre : Cette puce au diamètre actif de 2,5 mm est présentée dans un boîtier TO-5 hermétiquement scellé afin de garantir son rendement et sa fiabilité dans différents systèmes. Elle présente une responsivité élevée entre 400 et 1150 nm, avec un pic de responsivité à 920 nm.
  • HPR-1100BGH – Récepteur Si PIN – 2,5 mm - PV, UV-100BG Rx, fenêtre en verre : Utilise une résistance de rétroaction externe qui augmente la sensibilité de la photodiode et améliore la flexibilité de la bande passante.
 
Quelles sont les applications des photodiodes PIN au silicium?
Les photodiodes PIN au silicium sont d'excellents éléments technologiques qui peuvent être utilisés dans un large éventail d'applications potentielles. Voici quelques-uns de ces produits :
  • Télémétrie
  • Instrumentation
  • Transmission de données
  • Commutation à grande vitesse
  • Systèmes de détection au laser
  • La photométrie
  • Systèmes de contrôle d'alimentation des lasers
  • Communication optique
  • Détection rapide des impulsions dans les systèmes d'inspection des semiconducteurs
Proposez-vous des photodiodes PIN au silicium personnalisées?
Excelitas est fière de la qualité des produits qu'elle fabrique et de son engagement envers la réussite de ses clients.​​​​​​​ Dans le cadre de cet engagement, nous fournissons des photodiodes prêtes à l'emploi de premier ordre, conçues pour répondre aux besoins et aux exigences des clients OEM et des utilisateurs finaux. Notre principale force est notre capacité à donner vie à votre vision et à produire des solutions photoniques haut de gamme selon vos spécifications personnalisées. Si vous avez des exigences particulières, n'hésitez pas à nous en faire part afin que nous puissions en tenir compte lors de la conception et de la fabrication du produit.​​​​​​​
DTS

Liste de produits

Numéro de pièce
C30741PFH-15S

C30741PFH-15S

La C30741PFH-15S est une photodiode PIN au silicium à haute vitesse avec une puce à surface active de 1,5 x 1,5 mm dans un boîtier T1 ¾ en plastique qui bloque la lumière visible.
Numéro de pièce
C30741PH-15S

Si PIN C30741PH-15S

La C30741PH-15S est une photodiode PIN au silicium à haute vitesse avec une puce à surface active de 1,5 x 1,5 mm dans un boîtier en plastique transparent T 1¾.
Numéro de pièce
C30807EH

C30807EH – Photodiode Si PIN – 1,0 mm

La C30807EH est une photodiode PIN au silicium de haute qualité de type N avec puce de 1,0 mm de diamètre actif dans un boîtier TO-18 hermétiquement scellé conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. Cette gamme de produits présente un large éventail de surfaces photosensibles allant de 0,8 à 100 mm².
Numéro de pièce
C30808EH

C30808EH – Photodiode Si PIN – 2,5 mm

La photodiode PIN au silicium C30808EH comporte une puce au diamètre actif de 2,5 mm dans un boîtier TO-5 hermétiquement scellé. Elle est conçue pour une plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. Cette gamme de produits présente un large éventail de surfaces photosensibles allant de 0,8 à 100 mm².
Numéro de pièce
C30822EH

C30822EH – Photodiode Si PIN – 5 mm

La Photodiode PIN au silicium C30822EH avec puce de 5,0 mm de diamètre actif dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé est conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. Cette gamme de produits présente un large éventail de surfaces photosensibles allant de 0,8 à 100 mm².
Numéro de pièce
C30845EH

C30845EH – Si PIN – 8 mm – TO-8, quadrant

La C30845EH est une photodiode PIN de silicium de type N à quadrants de haute qualité dans un boîtier TO-8 hermétique, conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. En raison de sa grande surface (50 mm²), il est utile pour obtenir la position des points focalisés et défocalisés en mode pulsé ou onde continue.
Numéro de pièce
FFD-100H

FFD-100H - Si PIN - 2,5 mm - TO-5, PC, extrêmement rapide

La FFD-100H est une photodiode PIN au silicium de grande surface avec un diamètre actif de 2,5 mm dans un boîtier TO-5 hermétiquement scellé. Cette photodiode produit une grande sensibilité de photodétection 400 nm à 1150 nm, avec une pointe à 920 nm. Elle présente un temps de montée et de descente extrêmement rapide, un faible NEP et une faible tension de fonctionnement.
Numéro de pièce
FFD-200H

FFD-200H – Si PIN – 5 mm – TO-8, PC, extrêmement rapide

La FFD-200H est une photodiode PIN au silicium de grande surface avec un diamètre actif de 5,0 mm dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé. Cette photodiode offre une grande sensibilité de 400 nm à 1150 nm, avec une pointe de réactivité à 850 nm. Elle présente également un temps de montée et de descente extrêmement rapide, un faible NEP et une faible tension de fonctionnement.
Numéro de pièce
FND-100GH

FND-100GH - Si PIN - 2,5 mm – TO-5, PC, extrêmement rapide, fenêtre en verre

La FND-100 est une photodiode PIN au silicium de grande surface avec un diamètre actif de 2,5 mm dans un boîtier TO-5 hermétiquement scellé muni d'une fenêtre en verre. Cette photodiode offre une grande sensibilité de 400 nm à 1150 nm, avec une pointe de réactivité à 920 nm. Elle présente également un temps de montée et de descente extrêmement rapide, un faible NEP et une faible tension de fonctionnement.
Numéro de pièce
HPR-1100BGH

Récepteur Si PIN HPR-1100BGH – 2,5 mm – PV, UV-100BG Rx, fenêtre en verre

Le HPR-1100BGH est un module amplificateur PIN au silicium de grande surface avec une puce à diamètre actif de 2,5 mm dans un boîtier TO hermétique. La photodiode HPR-1100 utilise une résistance de rétroaction externe pour la flexibilité de la bande passante.