PIÈCE/ C30845EH
C30845EH – Si PIN – 8 mm – TO-8, quadrant
La C30845EH est une photodiode PIN de silicium de type N à quadrants de haute qualité dans un boîtier TO-8 hermétique, conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. En raison de sa grande surface (50 mm²), il est utile pour obtenir la position des points focalisés et défocalisés en mode pulsé ou onde continue.
Caractéristiques :
- Grande surface photosensible de 50 mm²
- Faible tension de fonctionnement de 45 V
- Boîtiers hermétiquement scellés
- Plage de longueurs d'onde : De 400 à 1100 nm
- Séparation entre les différents quadrants très faible – 0,25 mm
| Diamètre de la surface active (mm) | 8 |
| Région active (mm²) | 50 |
| Tension de claquage minimale (V) | 100 |
| Capacité typique par élément (pF) | 8 |
| Capacitance maximale par élément (pF) | 10 |
| Courant d'obscurité type par élément à 10 V par élément (nA) | 70 |
| Courant d'obscurité maximal par élément à 10 V par élément (nA) | 200 |
| Courant d'obscurité type par élément à 45 V par élément (nA) | 200 |
| Courant d'obscurité maximal par élément à 45 V par élément (nA) | 700 |
| Courant de bruit type par élément à 900 nm (pA/√Hz) | 0,43 |
| Courant de bruit maximal par élément à 900 nm (pA/√Hz) | 1,80 |
| Courant de bruit type par élément à 1060 nm (pA/√Hz) | 1,5 |
| Courant de bruit maximal par élément à 1060 nm (pA/√Hz) | 6,5 |
| Temps de montée type (ns) | 6 |
| Temps de descente type (ns) | 10 |
| Températures d'entreposage (℃) | -De 60 à 100 |
| Température de fonctionnement (°C) | -De 40 à 80 |
| Diamètre de la surface active (mm) | 8 |
| Région active (mm²) | 50 |
| Tension de claquage minimale (V) | 100 |
| Capacité typique par élément (pF) | 8 |
| Capacitance maximale par élément (pF) | 10 |
| Courant d'obscurité type par élément à 10 V par élément (nA) | 70 |
| Courant d'obscurité maximal par élément à 10 V par élément (nA) | 200 |
| Courant d'obscurité type par élément à 45 V par élément (nA) | 200 |
| Courant d'obscurité maximal par élément à 45 V par élément (nA) | 700 |
| Courant de bruit type par élément à 900 nm (pA/√Hz) | 0,43 |
| Courant de bruit maximal par élément à 900 nm (pA/√Hz) | 1,80 |
| Courant de bruit type par élément à 1060 nm (pA/√Hz) | 1,5 |
| Courant de bruit maximal par élément à 1060 nm (pA/√Hz) | 6,5 |
| Temps de montée type (ns) | 6 |
| Temps de descente type (ns) | 10 |
| Températures d'entreposage (℃) | -De 60 à 100 |
| Température de fonctionnement (°C) | -De 40 à 80 |