La photodiode PIN de type N à quadrants C30845EH est conçue pour une grande variété d'utilisations à large bande et à faible luminosité.
PIÈCE/ C30845EH

C30845EH – Si PIN – 8 mm – TO-8, quadrant

La C30845EH est une photodiode PIN de silicium de type N à quadrants de haute qualité dans un boîtier TO-8 hermétique, conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. En raison de sa grande surface (50 mm²), il est utile pour obtenir la position des points focalisés et défocalisés en mode pulsé ou onde continue.

Nous joindre Trouver un distributeur

Caractéristiques :

  • Grande surface photosensible de 50 mm²
  • Faible tension de fonctionnement de 45 V
  • Boîtiers hermétiquement scellés
  • Plage de longueurs d'onde : De 400 à 1100 nm
  • Séparation entre les différents quadrants très faible – 0,25 mm
Sensibilité de photodétection spectrale typique à température ambiante de la C30845EH.

Active diameter (mm): 8
Active area (mm²): 50
Minimal Breakdown Voltage (V): 100
Typical capacitance per element (pF): 8
Maximal capacitance per element (pF): 10
Typical dark current per element at 10 V per element (nA): 70
Maximal dark current per element at 10 V per element (nA): 200
Typical dark current per element at 45 V per element (nA): 200
Maximal dark current per element at 45 V per element (nA): 700
Typical noise current per element at 900 nm (pA/√Hz): 0.43
Maximal noise current per element at 900 nm (pA/√Hz): 1.80
Typical noise current per element at 1060 nm (pA/√Hz): 1.5
Maximal noise current per element at 1060 nm (pA/√Hz): 6.5
Typical rise time (ns): 6
Typical fall time (ns): 10
Storage temperature (℃): -60 to 100
Operating temperature (℃): -40 to 80

Active diameter (mm): 8
Active area (mm²): 50
Minimal Breakdown Voltage (V): 100
Typical capacitance per element (pF): 8
Maximal capacitance per element (pF): 10
Typical dark current per element at 10 V per element (nA): 70
Maximal dark current per element at 10 V per element (nA): 200
Typical dark current per element at 45 V per element (nA): 200
Maximal dark current per element at 45 V per element (nA): 700
Typical noise current per element at 900 nm (pA/√Hz): 0.43
Maximal noise current per element at 900 nm (pA/√Hz): 1.80
Typical noise current per element at 1060 nm (pA/√Hz): 1.5
Maximal noise current per element at 1060 nm (pA/√Hz): 6.5
Typical rise time (ns): 6
Typical fall time (ns): 10
Storage temperature (℃): -60 to 100
Operating temperature (℃): -40 to 80

Télécharger l'actif :
Pour télécharger cet article, veuillez remplir le formulaire ci-dessous.
REMARQUE : si vous avez désactivé nos témoins de marketing, vous ne pourrez pas accéder à nos vidéos ou téléchargements. Pour mettre à jours vos préférences en matière de témoins, veuillez cliquer ici pour réviser et activer les témoins.
Consentement
CAPTCHA
Cette question sert à vérifier si vous êtes un visiteur humain ou non afin d'éviter les envois de pourriels automatisés.
Fermer
Fermer