Détecteurs à quadrants
Nos photodétecteurs à avalanche et PIN à quadrants sont destinés au centrage et à l'alignement de faisceau. Les quadrants sont réalisés par dopage dans le matériau homogène pour supprimer les zones mortes. La structure offre un rendement quantique élevé et une réponse rapide pour la détection de photons dans la plage de 400 nm à 1100 nm.
C30845EH – Si PIN – 8 mm – TO-8, quadrant
La C30845EH est une photodiode PIN de silicium de type N à quadrants de haute qualité dans un boîtier TO-8 hermétique, conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. En raison de sa grande surface (50 mm²), il est utile pour obtenir la position des points focalisés et défocalisés en mode pulsé...
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C30927EH-02 – Si APD à quadrant 1,5 mm – 900 nm
La photodiode à avalanche au silicium à quadrants C30927EH-02 avec un diamètre utile de 1,55 mm est conçue avec une structure « reach-through » à double diffusion. La structure en quadrants comporte une jonction d’avalanche commune, la séparation des quadrants étant réalisée par segmentation de la surface p+ d’entrée de lumière opposée...
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C30927EH-03 – Quadrants Si APD 1,5 mm – 800 nm
La photodiode à avalanche au silicium à quadrants C30927EH-03 avec un diamètre utile de 1,55 mm est conçue avec une structure « reach-through » à double diffusion. La structure en quadrants comporte une jonction d’avalanche commune, la séparation des quadrants étant réalisée par segmentation de la surface p+ d’entrée de lumière opposée...
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