C30927EH-03 – Quadrants Si APD 1,5 mm – 800 nm
La photodiode à avalanche au silicium à quadrants C30927EH-03 avec un diamètre utile de 1,55 mm est conçue avec une structure « reach-through » à double diffusion. La structure en quadrants comporte une jonction d'avalanche commune, la séparation des quadrants étant réalisée par segmentation de la surface p+ d'entrée de lumière opposée à la jonction. Grâce à cette approche, il n'y a pas d'espace « mort » entre les éléments, donc pas de perte de réponse à l'axe de visée. La C30927EH-03 est optimisée pour fonctionner à 800 nm, offrant une grande responsivité et une excellente performance lorsqu'elle est utilisée à environ 50 nm de la longueur d'onde précisée.
Les photodiodes à avalanche au silicium à quadrants sont utiles pour différentes utilisations de suivi et d'alignement.
Caractéristiques principales :
- Angle complet pour une surface photosensible totalement éclairée supérieure à 90º
- Haute efficacité quantique optimisée pour le fonctionnement à 800 nm
- Temps de réponse rapide
- Grande surface active : 1,77 mm²
- Boîtier TO-8 à profil bas hermétiquement scellé
Utilisations :
- Suivi
- Alignement
- Identification « ami ou ennemi »
Breakdown voltage range (V): 350 to 485
Typical breakdown voltage (V): 425
Typical gain (M): 100
Typical Temperature Coefficient for constant gain (V/℃): 2.4
Minimal Responsivity at 800 nm (A/W): 45
Typical Responsivity at 800 nm (A/W): 55
Typical total dark current (nA): 100
Maximal total dark current (nA): 200
Typical noise current per element (pA/√Hz): 1.0
Maximal noise current per element (pA/√Hz): 1.5
Typical capacitance total of all quadrants (pF): 3
Maximal capacitance total of all quadrants (pF): 5
Maximal series resistance (Ω): 15
Typical rise and fall time (ns): 3
Storage temperature (℃): -60 to 120
Operating temperature (℃): -40 to 60
Breakdown voltage range (V): 350 to 485
Typical breakdown voltage (V): 425
Typical gain (M): 100
Typical Temperature Coefficient for constant gain (V/℃): 2.4
Minimal Responsivity at 800 nm (A/W): 45
Typical Responsivity at 800 nm (A/W): 55
Typical total dark current (nA): 100
Maximal total dark current (nA): 200
Typical noise current per element (pA/√Hz): 1.0
Maximal noise current per element (pA/√Hz): 1.5
Typical capacitance total of all quadrants (pF): 3
Maximal capacitance total of all quadrants (pF): 5
Maximal series resistance (Ω): 15
Typical rise and fall time (ns): 3
Storage temperature (℃): -60 to 120
Operating temperature (℃): -40 to 60