PIÈCE/ C30822EH
C30822EH – Photodiode Si PIN – 5 mm
La Photodiode PIN au silicium C30822EH avec puce de 5,0 mm de diamètre actif dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé est conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. Cette gamme de produits présente un large éventail de surfaces photosensibles allant de 0,8 à 100 mm².
Caractéristiques et avantages :
- Photodiode PIN au silicium (Si)
- Boîtier TO-8 hermétique
- Puce avec diamètre actif de 5,0 mm
- Revêtement antireflet pour améliorer la réactivité à 900 nm
- Sensibilité de photodétection élevée
- Réponse rapide
- Faible tension de fonctionnement
- Faible capacitance
- Boîtier hermétique
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- Systèmes de détection au laser
- La photométrie
- Transmission de données
- Instrumentation
- Commutation à grande vitesse
| Tension de claquage | >100 V |
| Capacitance | 12 pF |
| Courant d’obscurité | 50 nA/<250 nA |
| Courant de bruit | 130 fW/√Hz |
| Longueur d’onde maximale | 900 nm |
| Sensibilité | 0,6 A/W, à 900 nm |
| Temps de montée/descente | <20/<20 ns |
| Tension de claquage | >100 V |
| Capacitance | 12 pF |
| Courant d’obscurité | 50 nA/<250 nA |
| Courant de bruit | 130 fW/√Hz |
| Longueur d’onde maximale | 900 nm |
| Sensibilité | 0,6 A/W, à 900 nm |
| Temps de montée/descente | <20/<20 ns |