PIÈCE/ C30822EH
C30822EH – Photodiode Si PIN – 5 mm
La Photodiode PIN au silicium C30822EH avec puce de 5,0 mm de diamètre actif dans un boîtier TO-8 hermétiquement scellé est conçue pour la plage de longueurs d'onde de 300 à 1100 nm. Cette gamme de produits présente un large éventail de surfaces photosensibles allant de 0,8 à 100 mm².
Caractéristiques et avantages :
- Photodiode PIN au silicium (Si)
- Boîtier TO-8 hermétique
- Puce avec diamètre actif de 5,0 mm
- Revêtement antireflet pour améliorer la réactivité à 900 nm
- Sensibilité de photodétection élevée
- Réponse rapide
- Faible tension de fonctionnement
- Faible capacitance
- Boîtier hermétique
- Conforme à la directive RoHS
Utilisations :
- Systèmes de détection au laser
- La photométrie
- Transmission de données
- Instrumentation
- Commutation à grande vitesse
Breakdown Voltage: >100 V
Capacitance: 12 pF
Dark Current: 50nA/<250 nA
Noise Current: 130 fW/√Hz
Peak Wavelength: 900 nm
Responsivity: 0.6 A/W, at 900 nm
Rise/Fall Time: <20/<20 ns
Breakdown Voltage: >100 V
Capacitance: 12 pF
Dark Current: 50nA/<250 nA
Noise Current: 130 fW/√Hz
Peak Wavelength: 900 nm
Responsivity: 0.6 A/W, at 900 nm
Rise/Fall Time: <20/<20 ns