C30659-1060E-R8BH – Si-APD Empfänger, 0,8 mm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz, hohe Zerstörschwelle
Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1060E-R8BH beinhaltet eine für 30954 nm optimierte C1060EH Si-APD mit einem aktiven Durchmesser von 0,8 mm.
Die C30659 Serie zeichnet sich durch ein Design mit invertierendem Verstärker aus, welches als Ausgansstufe eine Emitterfolgerschaltung verwendet.
Die für diese Modelle verwendeten Si-APD Chips sind auch in den Excelitas Produkten C30817EH, C30902EH, C30954EH und C30956EH zu finden, die InGaAs-APD Chips werden ebenfalls in den Produkten C30645EH und C30662EH verwendet. Unsere Detektoren bieten eine hohe Empfindlichkeit zwischen 830 nm und 1550 nm sowie äußerst schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über den gesamten Wellenlängenbereich. Der Vorverstärker des Moduls verfügt über einen äußerst rauscharmen GaAs FET, der auf einen Betrieb bei höheren Transimpedanzen als unsere C30950 Standardserien ausgelegt ist.
Systembandbreite: 200 MHz
Extrem niedrige Rauschäquivalentleistung (NEP)
55 fW/√Hz bei 900 nm
100 fW/√Hz bei 1064 nm
Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm, optimiert für 1060 nm
