Hybride optische APD-Empfängermodule

Die hybriden optischen APD-Empfängermodule von Excelitas bestehen aus einem Fotodetektor (PIN oder APD) und einem Transimpedanzverstärker im selben, hermetisch abgedichteten, Gehäuse. Verstärker und Photodetektor im selben Gehäuse, ermöglichen eine rauscharme Detektion und reduzieren parasitäre Kapazitäten.

Excelitas-Katalog: Photon Detection Solutions
Excelitas hybride optische APD-Empfängermodule

Produktliste

Teilenummer
C30950EH

C30950EH – Si APD-Empfänger, 0,8 mm, 50 MHz, TO-8 Gehäuse

Das C30950EH ist ein Silizium Avalanche-Photodioden (Si APD) Verstärkermodul mit 50 MHz Bandbreite und beinhaltet unsere C30817 Silizium Avalanche-Photodiode. Mit einem aktiven Durchmesser von 0,8 mm bietet das C30950EH ein gutes Reaktionsverhalten zwischen 400 nm und 1100 nm und wird in einem modifizierten TO-12-Gehäuse mit 8 Pins geliefert.
Teilenummer
C30659-UV-1

C30659-UV-1 – Si APD Empfänger, 1x1 mm, 50 MHz, TO-8 Gehäuse, UV optimiert

Das Modell C30659-UV-1 verfügt über eine UV optimierte Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetisch abgedichtete TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb.
Teilenummer
C30659-900-R5BH

C30659-900-R5BH – Si-APD Empfänger, 0,5 mm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz

Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Die C30659-900-R5BH beinhaltet die C30902EH Si-APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 900 nm und aktivem Durchmesser von 0,5 mm.
Teilenummer
C30659-900-R8AH

C30659-900-R8AH – Si-APD Empfänger, 0,8 mm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz

Optische APD-Empfänger der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-900-R8AH beinhaltet die C30817EH Si-APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 900 nm und aktivem Durchmesser von 0,8 mm.
Teilenummer
C30659-1060-3AH

C30659-1060-3AH – Si-APD Empfänger, 3 mm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz

Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1060-3AH beinaltet eine C30956EH Si-APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 1060 nm und aktivem Durchmesser von 3 mm.
Teilenummer
C30659-1060-R8BH

C30659-1060-R8BH – Si-APD Empfänger, 0,8 mm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz

Optische APD-Empfänger der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1060-R8BH beinhaltet eine C30954EH Si-APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 1060 nm und aktivem Durchmesser von 0,8 mm.
Teilenummer
C30659-1060E-R8BH

C30659-1060E-R8BH – Si-APD Empfänger, 0,8 mm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz, hohe Zerstörschwelle

Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1060E-R8BH beinhaltet eine für 30954 nm optimierte C1060EH Si-APD mit einem aktiven Durchmesser von 0,8 mm.
Teilenummer
C30659-1550-R08BH

C30659-1550-R08BH – InGaAs-APD Empfänger, 80 µm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz

Optische APD-Empfänger der C30659-Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb.
Teilenummer
C30659-1550E-R08BH

C30659-1550E-R08BH-  InGaAs APD-Empfänger, 80 µm, TO-8 Gehäuse, 200 MHz, hohe Zerstörschwelle

Optische APD-Empfänger der C30659-Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1550E-R08BH beinhaltet eine für 30645 nm optimierte C1550EH InGaAs-APD.
Teilenummer
C30659-1550-R2AH

C30659-1550-R2AH –
InGaAs APD-Empfänger, 200 µm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz

Produkte der C30659-Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1550-R2AH beinhaltet eine C30662EH InGaAs-APD, die für 1550 nm optimiert ist.
Teilenummer
C30659-1550E-R2AH

C30659-1550E-R2AH –
InGaAs APD-Empfänger, 200 µm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz, hohe Zerstörschwelle

Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1550-R2AH beinhaltet eine für 1550 nm optimierte C30662EH-InGaAs-APD von Excelitas.
Teilenummer
LLAM-900-R5BH

LLAM-900-R5BH – Si APD-Empfänger, 0,5 mm, TO-66 Gehäuse, 200 MHz, Peltier Kühlelement

Das LLAM-900-R5BH ist ein schnelles, hochempfindliches, analoges Avalanche-Photodioden(APD)-Empfängermodul mit einem aktiven Durchmesser von 5,0 mm in einem hermetischen Gehäuse. Diese Si APD-Empfänger enthalten einen Peltierkühler und bieten eine Bandbreite von 200 MHz.
Teilenummer
LLAM-1060-R8BH

LLAM-1060-R8BH – Si APD-Empfänger, 0,8 mm, TO-66 Gehäuse, 200 MHz, Peltier Kühlelement

Das LLAM-1060-R8BH ist ein schnelles, hochempfindliches, analoges Avalanche-Photodioden Empfängermodul zur Messung geringster Lichtleistungen bei 1060 nm. Diese Si APD hat einen aktiven Durchmesser von 0,8 mm und eine Bandbreite von 200 MHz und enthält darüber hinaus einen Peltierkühler.
Teilenummer
LLAM-1060E-R8BH

LLAM-1060E-R8BH – Si APD-Empfänger, 0,8 mm, TO-66 Gehäuse, 200 MHz, Peltier Kühlelement, hohe Zerstörschwelle

Das LLAM-1060E-R8BH ist ein schnelles, hochempfindliches, analoges Avalanche-Photodioden (APD) Empängermodul mit einer 1060 nm Silizium (Si) APD. Diese Si APD enthält einen Peltierkühler und bietet einen aktiven Durchmesser von 0,8 mm sowie eine Bandbreite von 200 MHz.
Teilenummer
LLAM-1550-R08BH

LLAM-1550-R08BH – InGaAs APD-Empfänger, 80 um, TO-66 Gehäuse, 200 MHz, Peltier Kühlelement

Das LLAM-1550-R08BH ist ein schnelles, hochempfindliches, analoges Avalanche-Photodioden (APD) Empfängermodul mit 1550 nm InGaAs-APD und Peltierkühler.
Teilenummer
LLAM-1550E-R08BH

LLAM-1550E-R08BH – InGaAs APD-Empfänger, 80 µm, TO-66 Gehäuse, 200 MHz, Peltier Kühlelement, hohe Zerstörschwelle

Das LLAM-1550-R08BH ist ein schnelles, hochempfindliches, analoges Avalanche-Photodioden (APD) Empfängermodul mit einem aktiven Durchmesser von 0,08 mm und Peltierkühler.
Teilenummer
LLAM-1550-R2AH

LLAM-1550-R2AH – InGaAs APD-Empfänger, 200 um, TO-66 Gehäuse, 50 MHz, Peltier Kühlelement

Das LLAM-1550-R2AH ist ein schnelles, hochempfindliches, analoges Avalanche-Photodioden (APD) Empfängermodul mit einer 1550 mm InGaAs-APD. Das Module enthält einen Peltierkühler und bietet eine Bandbreite von 50 MHz.
Teilenummer
LLAM-1550E-R2AH

LLAM-1550E-R2AH – InGaAs APD-Empfänger, 200 um, TO-66 Gehäuse, 50 MHz, Peltier Kühlelement, hohe Zerstörschwelle

Das LLAM-1550E-R2AH ist ein schnelles, hochempfindliches, analoges Avalanche-Photodioden (APD) Empfängermodul mit einer 1550 mm InGaAs-APD. Dieses APD-Empfängermodul mit Peltierkühler bietet eine Bandbreite von 50 MHz und eine hohe Zerstörschwelle.