TEIL/ C30659-1060-3AH
C30659-1060-3AH – Si-APD Empfänger, 3 mm, TO-8 Gehäuse, 50 MHz
Produkte der C30659 Serie verfügen über eine Silizium Avalanche-Photodiode (Si-APD) oder eine InGaAs Avalanche-Photodiode (InGaAs-APD) mit hybridem Vorverstärker. Das hermetische TO-8 Gehäuse ermöglicht einen besonders rauscharmen Betrieb. Unser Modell C30659-1060-3AH beinaltet eine C30956EH Si-APD mit maximaler Empfindlichkeit bei 1060 nm und aktivem Durchmesser von 3 mm.
Die C30659 Serie zeichnet sich durch ein Design mit invertierendem Verstärker aus, welches als Ausgansstufe eine Emitterfolgerschaltung verwendet.
Die für diese Modelle verwendeten Si-APD Chips sind auch in den Excelitas Produkten C30817EH, C30902EH, C30954EH und C30956EH zu finden, die InGaAs-APD Chips werden ebenfalls in den Produkten C30645EH und C30662EH verwendet. Unsere Detektoren bieten eine hohe Empfindlichkeit zwischen 830 nm und 1550 nm sowie äußerst schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über den gesamten Wellenlängenbereich. Der Vorverstärker des Moduls verfügt über einen äußerst rauscharmen GaAs FET, der auf einen Betrieb bei höheren Transimpedanzen als unsere C30950 Standardserien ausgelegt ist.
- Systembandbreite: 50 MHz
- Extrem niedrige Rauschäquivalentleistung (NEP):
55 fW/√Hz bei 900 nm 90 fW/√Hz bei 1064 nm - Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm, optimiert für 1060 nm
- Typische Leistungsaufnahme: 150 mW
- ±5 V Betriebsspannung
- 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC: Gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes TO-8 package
- Hohe Zuverlässigkeit
- Systembandbreite: 50 MHz
- Extrem niedrige Rauschäquivalentleistung (NEP):
55 fW/√Hz bei 900 nm 90 fW/√Hz bei 1064 nm - Spektralbereich: 400 nm bis 1100 nm, optimiert für 1060 nm
- Typische Leistungsaufnahme: 150 mW
- ±5 V Betriebsspannung
- 50 Ω AC Abschlusswiderstand (AC: Gekoppelt)
- Hermetisch abgedichtetes TO-8 package
- Hohe Zuverlässigkeit