Avalanche-Photodioden

Excelitas bietet Avalanche-Photodioden (APD) aus Silizium- (Si) und IndiumGalliumArsenid (InGaAs) Materialien an. Si-APDs decken den Spektralbereich von 400 nm bis 1100 nm ab, während die InGaAs-APDs den Bereich von 950 nm bis 1550 nm abdecken. Eine APD verfügt über eine höhere Empfindlichkeit als eine Standard-Photodiode und ermöglicht daher die Detektion sehr schwacher Lichtintensitäten und das Zählen einzelner Photonen.

APDs kommen anstelle von PIN-Photodioden in Anwendungen zum Einsatz, für die eine verbesserte Empfindlichkeit erforderlich ist. Generell sind APDs in Anwendungen nützlich, bei denen das Rauschen des Verstärkers höher ist als das Detektorrauschen einer vergleichbaren PIN Photodiode.

Excelitas C30902 Series of High-Performance Si APDs

High-Performance Silizium APDs

Die „Reach-through“ Silizium APDs bieten den besten Kompromiss in Bezug auf Preis und Performance für Anwendungen, die eine schnelle und rauscharme Photonendetektion im Spektralbereich von 400 nm bis zu 1100 nm erfordern. Diese Si-APD zeichnen sich durch geringes Rauschen, hohe Quantenausbeute und hohe Verstärkung bei …
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Excelitas Large-area, UV-Enhanced Silicon APDs

UV optimierte, große APDs

Die UV optimierten Silizium Avalanche-Photodioden (Si APD) mit großer aktiver Fläche sind für den Einsatz in einer Vielzahl von breitbandigen Anwendungen mit sehr geringen Lichtleistungen vorgesehen, die den Spektralbereich von unter 400 nm bis über 700 nm abdecken. Diese rauscharmen, kapazitätsarmen und hochverstärkenden Si APD sind in Flat-Pack-Gehäusen erhältlich…
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Excelitas Hybrid Optical APD Receiver Modules

Hybride optische APD-Empfängermodule

Die hybriden optischen APD-Empfängermodule von Excelitas bestehen aus einem Fotodetektor (PIN oder APD) und einem Transimpedanzverstärker im selben, hermetisch abgedichteten, Gehäuse. Verstärker und Photodetektor im gleichen Gehäuse zu haben, ermöglicht eine rauscharme Aufnahme aus der Umgebung und reduziert…
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Excelitas High-Volume, Cost-Effective Si APDs

Kosteneffiziente Silizium APDs für die Großserienfertigung

Unsere APDs der Serie C30724 bieten eine hohe Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 800 nm bis 950 nm und sind so konzipiert, dass sie die Anforderungen in der  Großserienfertigung bei gutem Preis-/Leistungsverhältnis erfüllen. Die C30724EH wird in einem hermetischen TO-18-Gehäuse geliefert. Die C30724EH-2 ist eine modifizierte TO-18 mit einem eingebauten 905 nm Schmalbandpass…
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Excelitas APD Quadrants C30927 Series

APD-Quadranten

Die Avalanche-Photodioden (APD)-Arrays und -Quadranten der Excelitas C30927-Familie verwenden eine doppelt-diffundierte „Reach-Through“-Struktur, die für optimale Leistung Totraum zwischen den Pixeln eliminiert. Diese Struktur bietet eine sehr hohe Empfindlichkeit zwischen 400 nm – 1000 nm. Drei verschiedene Varianten sind …
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High-Performance InGaAs Avalanche Photodiodes

High-Performance InGaAs APDs

Die High-Performance InGaAs Avalanche-Photodioden (APDs) der Serien C30644, C30645 und C30662 sind schnelle und großflächige Photodioden basierend auf einer InGaAs/lnP Struktur. Diese Dioden bieten hohe Quantenausbeute, hohe Empfindlichkeit und geringes Rauschen im Spektralbereich zwischen 1100 nm und 1700 nm. Sie sind optimiert…
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Excelitas 1064 nm  Long-Wavelength Si APDs

Optimierte Si-APDs für 1064 nm Applikationen

Die für 1064 nm Wellenlänge optimierten Si APDs (C30954EH, C30955EH und C30956EH) werden unter Verwendung einer doppelt diffundierten „Reach-through“-Struktur hergestellt. The design of these photodiodes are such that their long wave response (i.e. >900 nm) has been enhanced without introducing any undesirable properties....
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