High-Performance Silizium APDs

Die „Reach-through“ Silizium APDs bieten den besten Kompromiss in Bezug auf Preis und Performance für Anwendungen, die eine schnelle und rauscharme Photonendetektion im Spektralbereich von 400 nm bis zu 1100 nm erfordern. Diese Si-APDs zeichnen sich durch geringes Rauschen, hohe Quantenausbeute sowie einen hohen Verstärkungsfaktor bei vergleichsweise niedriger Betriebsspannung aus. Der Durchmesser der aktiven Sensorfläche variiert von 0,5 mm bis 3 mm.

Zusätzliche Ressourcen
Warum sollten Sie sich für Excelitas als Anbieter von Hochleistungs-Si-APDs entscheiden?
Excelitas Technologies ist branchenführend in der Entwicklung und Herstellung fortschrittlicher photonischer Lösungen, die darauf ausgerichtet sind, die Bedürfnisse unserer Kunden zu erfüllen und eine gesündere, sicherere und innovativere Zukunft zu gestalten. Mit jahrzehntelanger Erfahrung haben wir ein umfangreiches Portfolio an PN-, PIN- und APD-Photodioden aus hochwertigen Materialien zusammengestellt, um unseren Kunden die Entwicklung von Spitzenprodukten im Bereich Technologie zu ermöglichen. Als Teil unseres umfassenden Photonik-Portfolios stellen wir Avalanche-Photodioden (APDs) aus Silizium her, um Hochleistungsmodule für Anwendungen zu schaffen, die eine schnelle und rauscharme Photonendetektion erfordern.
Was sind die verschiedenen Einsatzbereiche für Hochleistungs-Si-APDs?
APDs sind Halbleiter, die für die Detektion und Umwandlung von Lichtsignalen in elektrische Signale ausgelegt sind. Hochleistungs-Si-APDs sind hochempfindliche „Reach-Through“-Vorrichtungen mit rückwärtigem Eingang, die Spitzenleistung zu einem günstigen Preis bieten. Sie eignen sich am besten für Anwendungen, die eine schnelle und rauscharme Photonendetektion von 400 nm bis 1100 nm erfordern. Die aktive Fläche von Silizium-APDs variiert von 0,5 mm bis 3 mm und zeichnet sich durch geringes Rauschen, hohe Quantenausbeute und hohe Verstärkung aus, während sie bei einer angemessen niedrigen Betriebsspannung arbeitet. Sie können in Anwendungen eingesetzt werden, die hochempfindliche Photonendetektion benötigen, beispielsweise in biomedizinischen und analytischen Instrumenten.
Welche Arten von Silizium-APDs bieten Sie an?
Excelitas bietet ein breites Sortiment an Silizium-APDs an, die so konzipiert sind, dass sie auch bei relativ niedrigen Betriebsspannungen eine hohe Empfindlichkeit aufweisen und den besten Kompromiss zwischen Kosten und Leistungsfähigkeit bieten. Um den Bedürfnissen und Anforderungen unserer Kunden gerecht zu werden, bieten wir eine umfangreiche Auswahl an Silizium-APD-Detektoren an, zu denen die folgenden zählen:
  • C30902SH – Si APD, 0,5 mm, TO-18, Photon Counting – schnelle, großflächige Silizium-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten.
  • C30902SH-2 – Si APD, 0,5 mm, TO-18, Photon Counting, 905-nm-Filter – schnelle, großflächige Silizium-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten und mit einem 905-nm-Filter für eine selektive Transmission oder dem Blocken von Licht bei 905 nm ausgestattet sind.
  • C30902SH-TC – Si APD, 0,5 mm, TO-66, Photon Counting, einstufiger Kühler – nutzt einen einstufigen thermoelektrischen Kühler zur Aufrechterhaltung niedrigerer Temperaturen für verschiedene thermoelektrische Elemente.
  • C30902SH-DTC – Si APD, 0,5 mm, TO-66, Photon Counting, zweistufiger Kühler – nutzt die Vorteile der zweistufigen thermoelektrischen Kühlung für eine noch höhere Kühlkapazität.
  • C30902EH – Si APD, 0,5 mm, TO-18 – schnelle, großflächige Si-APDs, die speziell für Anwendungen bei schwachem Licht konzipiert wurden, die typischerweise eine mehr als 100-fache Verstärkungen erfordern.
  • C30902EH-2 – Si APD, 0,5 mm, TO-18, 905-nm-Filter – für Anwendungen bei schwachem Licht konzipiert und mit einem 905-nm-Filter ausgestattet, der das Licht bei 905 nm filtert oder blockiert.
  • C30902BH – Si APD, 0,5 mm, TO-18 Kugellinse – in verschiedenen TO-18-Gehäusekonfigurationen verfügbar, beispielsweise als Kugellinse, Flachglas, Lichtleiter und 905-nm-Filter.
  • C30916EH – Si APD, 1,5 mm, TO-5 Niedriges Profil – bietet einen aktiven Flächendurchmesser von 1,5 mm und befindet sich in einem TO-5-Gehäuse.
  • C30817EH – Si APD, 0,8 mm, TO-5 Niedriges Profil – mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“ Struktur für allgemeine Anwendungen konzipiert.
  • C30884EH – Si APD, 1 mm, TO-5 – bietet sehr hohe Modulationsmöglichkeiten mit hoher Empfindlichkeit und schnellen Anstiegs- und Abfallzeiten.
Was sind die Anwendungen von Hochleistungs-Si-APDs?
Hochleistungs-Si-APDs sind unglaublich vielseitig und lassen sich nahtlos in verschiedenste Systeme in der Kommunikationstechnologie, zur Detektion von Licht and im Ranging (LiDAR), in der wissenschaftlichen Forschung, in der medizinische Bildgebung, im Sicherheitsbereich, in der Verteidigung und in der industriellen Messtechnik integrieren, um die folgenden Anwendungen zu ermöglichen:
  • Laserentfernungsmesser
  • Scanning-Video-Imager
  • Konfokale Mikroskopie
  • Optische Kommunikation
  • Spektrometer
  • Fluoreszenzdetektion
  • Luminometer
  • DNA-Sequenzierer
  • Partikelgrößenbestimmung
Bieten Sie kundenspezifische Silizium-APDs an?
Excelitas ist stolz darauf, ein breites Sortiment an Standard-Hochleistungs-Si-APDs herzustellen, um die Bedürfnisse unserer OEM-Kunden zu erfüllen und ihnen die Herstellung von Lösungen zu ermöglichen, die wiederum den Anforderungen ihrer Endkunden entsprechen. Unsere Produkte wurden unter Einhaltung der höchsten Qualitätsstandards hergestellt und sind dabei dennoch erschwinglich. Wenn Sie in unserem umfassenden Portfolio nicht die optimal passende Lösung finden, können Sie sich gerne mit uns in Verbindung setzen, damit wir stattdessen gemeinsam maßgeschneiderte Lösungen entwickeln können, die genau Ihren speziellen Anforderungen gerecht werden. Wir arbeiten in allen Phasen von Design und Produktion mit Ihnen zusammen, um Ihnen bei der Entwicklung einer Lösung zu helfen, die Ihre Produktqualität, Kosten und Markteinführungszeit optimiert.
Excelitas C30902-Serie von Hochleistungs-Si-APD

Produktliste

Teilenummer
C30902SH

C30902SH – Si APD, 0,5 mm, TO-18 Gehäuse, Photon-Counting

Die Avalanche-Photodioden C30902SH von Excelitas sind schnelle, großflächige Silizium-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie werden speziell ausgewählt, um entweder im Geiger-Modus (V​​​​​​​OP > VBD) zur Detektion einzelner Photonen oder im Linear-Modus (V​​​​​​​OP < VBD) mit bis zu 250 facher Verstärkung eingesetzt zu werden.
Teilenummer
C30902SH-2

C30902SH-2 – Si APD, 0,5 mm, TO-18 Gehäuse, Photon-Counting, 905 nm Filter

Die Avalanche-Photodioden C30902SH von Excelitas sind schnelle, großflächige Silizium-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie werden speziell ausgewählt, um entweder im Geiger-Modus (V​​​​​​​OP > VBD) zur Detektion einzelner Photonen oder im Linear-Modus (V​​​​​​​OP < VBD) mit bis zu 250 facher Verstärkung eingesetzt zu werden.
Teilenummer
C30902SH-TC

C30902SH-TC – Si APD, 0,5 mm, TO-66 Gehäuse, Photon-Counting, Peltier Kühlelement

Die Avalanche-Photodioden C30902SH von Excelitas sind schnelle, großflächige Silizium-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie werden speziell ausgewählt, um entweder im Geiger-Modus (V​​​​​​​OP > VBD) zur Detektion einzelner Photonen oder im Linear-Modus (V​​​​​​​OP < VBD) mit bis zu 250 facher Verstärkung eingesetzt zu werden.
Teilenummer
C30902SH-DTC

C30902SH-DTC – Si APD, 0,5 mm, TO-66 Gehäuse, Photon-Counting, zweistufiges Peltier Kühlelement

Die Avalanche-Photodioden C30902SH von Excelitas sind schnelle, großflächige Silizium-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie werden speziell ausgewählt, um entweder im Geiger-Modus (V​​​​​​​OP > VBD) zur Detektion einzelner Photonen oder im Linear-Modus (V​​​​​​​OP < VBD) mit bis zu 250 facher Verstärkung eingesetzt zu werden.
Teilenummer
C30902EH

C30902EH – Si APD, 0,5 mm, TO-18 Gehäuse

Die Avalanche-Photodioden C30902EH von Excelitas sind großflächige Hochgeschwindigkeits-Silizium-Reach-through-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie sind speziell für Detektionsanwendungen von geringsten Lichtstärken entwickelt worden, die typischerweise > 100-fache Verstärkungen erfordern, und sind in TO-18 Gehäusen mit verschiedenen Fensterkonfigurationen wie Flachglas, Kugellinse, Lightpipe und 905 nm Bandpassfilter verfügbar.
Teilenummer
C30902EH-2

C30902EH-2 – Si APD, 0,5 mm, TO-18 Gehäuse, 905 nm Filter

Die Avalanche-Photodioden C30902EH von Excelitas sind großflächige Hochgeschwindigkeits-Silizium-Reach-through-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie sind speziell für Detektionsanwendungen von geringsten Lichtstärken entwickelt worden, die typischerweise > 100-fache Verstärkungen erfordern, und sind in TO-18 Gehäusen mit verschiedenen Fensterkonfigurationen wie Flachglas, Kugellinse, Lightpipe und 905 nm Bandpassfilter verfügbar.
Teilenummer
C30902BH

C30902BH – Si APD, 0,5 mm, TO-18 Gehäuse mit Kugellinse

Die Avalanche-Photodioden C30902EH von Excelitas sind großflächige Hochgeschwindigkeits-Silizium-Reach-through-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie sind speziell für Detektionsanwendungen von geringsten Lichtstärken entwickelt worden, die typischerweise > 100-fache Verstärkungen erfordern, und sind in TO-18 Gehäusen mit verschiedenen Fensterkonfigurationen wie Flachglas, Kugellinse, Lightpipe und 905 nm Bandpassfilter verfügbar.
Teilenummer
C30916EH

C30916EH – Si APD, 1,5 mm, TO-5 Gehäuse

Die großflächige Silizium Avalanche-Photodiode C30916EH bietet eine aktive Fläche mit einem  Durchmesser von 1,5 mm in einem TO-5-Gehäuse.
Teilenummer
C30817EH

C30817EH – Si APD, 0,8 mm, TO-5 Gehäuse

Die Silizium-Avalanche-Photodiode C30817EH ist mit einer doppelt diffundierten „Reach-Through“ Struktur für allgemeine Anwendungen konzipiert. Diese Struktur bietet eine hohe Empfindlichkeit zwischen 400 nm und 1100 nm sowie schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über alle Wellenlängen. Aufgrund der kurzen Abfallzeit, ist die Empfindlichkeit der Diode bis zu etwa 200 MHz unabhängig von der Modulationsfrequenz.
Teilenummer
C30884EH

C30884EH – Si APD, 1 mm, TO-5 Gehäuse

Die Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) C30884EH bietet eine hohe Emfpindlichkeit und die Möglichkeit sehr hohe Modulationsfrequenzen zu nutzen aufgrund ihrer schnellen Anstiegs- und Abfallzeit. Aufgrund der kurzen Abfallzeit, ist die Empfindlichkeit der Diode bis zu etwa 400 MHz unabhängig von der Modulationsfrequenz. Diese Si APD verwendet eine doppelt diffundierte „Reach-Through“ Struktur und ist für eine hohe Empfindlichkeit bei Wellenlängen von unter 1000 nm optimiert.