C30884EH – Si APD, 1 mm, TO-5 Gehäuse
Die Silizium-Avalanche-Photodiode (Si APD) C30884EH bietet eine hohe Emfpindlichkeit und die Möglichkeit sehr hohe Modulationsfrequenzen zu nutzen aufgrund ihrer schnellen Anstiegs- und Abfallzeit. Aufgrund der kurzen Abfallzeit, ist die Empfindlichkeit der Diode bis zu etwa 400 MHz unabhängig von der Modulationsfrequenz. Diese Si APD verwendet eine doppelt diffundierte „Reach-Through“ Struktur und ist für eine hohe Empfindlichkeit bei Wellenlängen von unter 1000 nm optimiert.
Die C30884EH ist hinter einem ebenem Glasfenster in einem flachen und hermetisch versiegeltem TO-5 Gehäuse verbaut.
Anwendungen:
- Optische Kommunikation
- Laser Entfernungsmessung
- Hochgeschwindigkeits Schaltsysteme
Hohe Quantenausbeute:
- 85% typisch bei 900 nm
- 10% typisch bei 1060 nm
Spektralbereich – (10% Punkte) 400 nm bis 1100 nm
Schnelle Ansprechzeit
- Anstiegszeit: 1 ns
- Abfallzeit: 1 ns
Breiter Betriebstemperaturbereich: -40°C bis 70°C
Hermetisch versiegeltes, flaches TO-5 Gehäuse
Hohe Quantenausbeute:
- 85% typisch bei 900 nm
- 10% typisch bei 1060 nm
Spektralbereich – (10% Punkte) 400 nm bis 1100 nm
Schnelle Ansprechzeit
- Anstiegszeit: 1 ns
- Abfallzeit: 1 ns
Breiter Betriebstemperaturbereich: -40°C bis 70°C
Hermetisch versiegeltes, flaches TO-5 Gehäuse