C30902EH – Si APD, 0,5 mm, TO-18 Gehäuse
Die Avalanche-Photodioden C30902EH von Excelitas sind großflächige Hochgeschwindigkeits-Silizium-Reach-through-APDs, die eine hohe Empfindlichkeit bei geringem Rauschen bieten. Sie sind speziell für Detektionsanwendungen von geringsten Lichtstärken entwickelt worden, die typischerweise > 100-fache Verstärkungen erfordern, und sind in TO-18 Gehäusen mit verschiedenen Fensterkonfigurationen wie Flachglas, Kugellinse, Lightpipe und 905 nm Bandpassfilter verfügbar.
Reach-through-APD mit geringem Rauschen für die Detektion mit geringem Lichtpegel
Die Serie C30902EH an Avalanche-Photodioden wird mit einer doppelt diffundierten „Reach-through“-Struktur hergestellt. Diese Struktur bietet eine hohe Empfindlichkeit zwischen 400 nm und 1000 nm sowie extrem schnelle Anstiegs- und Abfallzeiten über diese Wellenlängen. Die Empfindlichkeit des Geräts ist unabhängig von der Modulationsfrequenz bis zu typischerweise 800 MHz. Der Detektorchip ist hermetisch hinter einem flachen Glasfenster in einem modifizierten TO-18-Gehäuse verbaut. Der Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche beträgt 0,5 mm.
Die Produktfamilie der APD-Serie C30902 umfasst auch eine Single-Photon-fähige APD (SPAD), die im Geiger-Modus und im linearen Modus mit wesentlich höheren Verstärkungen betrieben werden kann. Weitere Informationen finden Sie in unserem C30902SH-Datenblatt.
Hauptmerkmale:
- 0,5 mm Si APD in einem TO-18 Gehäuse
- Hohe Quanteneffizienz – 84 % typisch bei 800 nm
- Geringes Rauschen bei Raumtemperatur
- Hohe Empfindlichkeit: interne Verstärkung >150
- Spektralbereich – 400 nm bis 1100 nm
- Ansprechzeit – typisch 0,4 ns
- Weiter Betriebstemperaturbereich –40°C bis +85°C
Anwendungen:
- LiDAR-/ToF-Messungen
- Optisches Zeitbereichsreflektometer (OTDR - Optical Time Domain Reflectometer)
- Fluoreszenzmessung
- Laserscanning
Aktive Fläche: 0,2 mm²
Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
Durchbruchspannung: typisch 225 V
Kapazität: 1,5 pF
Temperatur-Koeffizient: typisch 0,7 V/°C
Dunkelstrom: 7 nA
Dunkelrauschen: 0,1 pA/√Hz
Rauschäquivalente Leistung: 1,23 fW/√Hz
Typische Empfindlichkeit: 80 A/W bei 800 nm
Empfohlene Verstärkung: 150
Gehäuse: TO-18 mit planem Glasfenster
Aktive Fläche: 0,2 mm²
Aktiver Durchmesser: 0,5 mm
Durchbruchspannung: typisch 225 V
Kapazität: 1,5 pF
Temperatur-Koeffizient: typisch 0,7 V/°C
Dunkelstrom: 7 nA
Dunkelrauschen: 0,1 pA/√Hz
Rauschäquivalente Leistung: 1,23 fW/√Hz
Typische Empfindlichkeit: 80 A/W bei 800 nm
Empfohlene Verstärkung: 150
Gehäuse: TO-18 mit planem Glasfenster